半导体光源制造技术

在半导体光源(1)的至少一个实施形式中，所述半导体光源包括至少两个平面元件(2)。平面元件(2)分别包括用于在所述半导体光源(1)工作时产生紫外或可见辐射(R)的半导体材料。在此，辐射(R)在平面元件(2)的各正好一个主平面(3)上发射。在半导体光源(1)不工作时，平面元件(2)的反射率对于可见的辐射为至少80％。此外，平面元件(2)具有至少10mm的平均直径(L)。此外，平面元件(2)的主平面(3)相互成角(α)地设置，并且彼此朝向。在此，主平面(3)之间的角(α)在30°与120°之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术说明了一种半导体光源。
技术介绍
在文献DE 20 2008 010 884U1中说明了一种照明装置。
技术实现思路
待实现的目的在于，提供一种半导体光源，所述半导体光源具有可预先规定的辐射特性。根据半导体光源的至少一个实施形式，所述半导体光源包括至少两个平面元件。 在此，平面元件特别是分开的、单独的、可彼此独立地设置的和/或制成的元件，所述元件优选构造为平面的或平坦的。平面元件特别是意味着，所述平面元件的平均直径大于其平均厚度。平均直径特别是平均厚度的至少十倍，优选是所述平均厚度的至少一百倍。根据半导体光源的至少一个实施形式，平面元件各包括用于在半导体光源工作时产生紫外或可见辐射的一种有机的或无机的半导体材料。换句话说，平面元件设置用于在工作时主动地产生可见或紫外辐射。因此，平面元件在半导体光源工作时是有源的、发射辐射的元件。根据半导体光源的至少一个实施形式，平面元件将在工作中产生的辐射分别在刚好一个主平面上发射。也就是说，平面元件能够是在主平面上平面地，特别是完全平面地或者基本上完全平面地放射的元件。根据半导体光源的至少一个实施形式，至少在光源不工作时，平面元件的反射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：本杰明·克劳斯·克鲁马赫尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：