【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及装有半导体激光器片的半导体激光装置。半导体激光装置，通过正向偏置使半导体激光器片动作，得到光输出，当对该半导体激光器片施加脉冲电压时，在半导体激光器片的正向流过过剩脉冲电流，由此产生的过剩的光输出恶化半导体激光器片本身。首先，用图8(a)及图8(b)说明以往的具有脉冲耐压功能的半导体激光装置。图8(a)是以往的半导体激光装置的立体图。如图8(a)所示，在陶瓷电容器21上，通过激光座22，形成以砷铝化镓为构成要素的半导体激光器片23。陶瓷电容器21通过导线24与半导体激光器片23并联。图8(b)是以往的半导体激光装置的电路图。如图8(b)所示，半导体激光器片23与陶瓷电容器21相互并联。当对该半导体激光装置施加脉冲电压时，由于陶瓷电容21吸收是瞬态电流的脉冲电流，可防止过剩电流流入半导体激光器片23。另外，加大陶瓷电容器21的容量，如果与半导体激光器片23的阻抗相比，充分减小陶瓷电容器21的阻抗，吸收脉冲电流的效果更为显著。在以往的半导体激光装置中，当想要得到足够的脉冲电流吸收效果时，由于需要将陶瓷电容器21的阻抗减小到比半导体激光器片23还小，...
【技术保护点】
一种半导体激光装置，包括具有阳极和阴极的半导体激光器片以及场效应晶体管，其特征在于，所述阳极连接所述场效应晶体管的漏极，所述场效应晶体管的栅极连接所述场效应晶体管的漏极，所述阴极连接所述场效应晶体管的源极。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：河内泰之，中西秀行，油利正昭，吉川昭男，石黑永孝，
申请(专利权)人：松下电子工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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