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一种用高精度形成用于分割半导体器件１０的标记的制造半导体器件的方法，其中，多个半导体器件１０制备在一个半导体衬底１６上，而作为标记的刻蚀槽３１形成在半导体衬底１６上的半导体器件区域的外部。...
该专利属于冲电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过冲电气工业株式会社授权不得商用。

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