半导体激光元件、其安装结构、其制造方法及其安装方法技术

本发明专利技术涉及半导体激光元件、半导体激光元件的安装结构、半导体激光元件的制造方法以及半导体激光元件的安装方法。在Ｎ型ＧａＡｓ衬底（２）上，形成Ｎ型ＧａＡｓ缓冲层（４）、Ｎ型ＧａＩｎＰ中间层（６）、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ包层（８）、非掺杂ＭＱＷ有源层（１０）、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ包层（１２）、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ包层（１４）、Ｐ型ＧａＡｓ盖层（１６）。Ｐ型包层（１４）以及Ｐ型盖层（１６）在脊部（１５）上形成。窄幅部（１７）在Ｎ型衬底（２）的上部及所述各层中形成，在脊部（１５）的侧面、窄幅部（１７）的表面、和Ｎ型衬底（２）的台阶部（２ａ）的表面形成ＳｉＯ↓［２］膜（１８）。在脊部（１５）和窄幅部（１７）的表面形成的ＳｉＯ↓［２］膜（１８）的上面形成Ｐ侧电极层（２３）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光元件、半导体激光元件的安装结构、半导体激光元件的制造方法以及半导体激光元件的安装方法。
技术介绍
目前，作为光盘的读取以及写入用的光源，使用半导体激光元件。图8A以及图8B是表示在用作DVD(数字多用途盘)写入用光源的现有半导体激光元件的截面图。该半导体激光元件是脉冲功率是200mW级的AlGaInP基的红色半导体激光元件。图8A是用一次结晶生长工序制造的气脊型(エァリッジタィプ)，图8B是用二次结晶生长工序制造的再生长埋入型。图9A以及图9B分别表示在子支架(サブマゥント)上安装图8A以及图8B的半导体激光元件100、130的状态的截面图。图8A的半导体激光元件100，在N-GaAs衬底102上具有N-GaAs缓冲层104、N-GaInP中间层106、N-AlInGaP包层108、非掺杂MQW(多重量子阱)有源层110、P-AlGaInP包层112、P-GaInP蚀刻停止层114、P-AlGaInP包层116、P-GaAs盖层(包含GaInP中间层)118，在宽度方向中央，有在包含GaInP中间层的所述P-GaAs盖层118和P-AlGaInP包层116本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光元件，其特征在于，具有：　　　　衬底；　　　　在所述衬底上形成的下部包层；　　　　在所述下部包层上形成的有源层；　　　　在所述有源层上形成的第一上部包层；　　　　覆盖所述第一上部包层、有源层以及下部包层的侧面的电介质膜；　　　　覆盖所述电介质膜、并且电连接所述第一上部包层的电极层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宫嵜启介，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]