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本发明涉及半导体激光元件、半导体激光元件的安装结构、半导体激光元件的制造方法以及半导体激光元件的安装方法。在Ｎ型ＧａＡｓ衬底（２）上，形成Ｎ型ＧａＡｓ缓冲层（４）、Ｎ型ＧａＩｎＰ中间层（６）、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ包层（８）、非掺杂ＭＱＷ有源层...
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