半导体器件制造技术

半导体器件（１０）具有：设置在基板（１６）上的第一晶体管（１１）、隔着散热层（１７）设置在第一晶体管（１１）上的第二晶体管（１２）、设置在基板（１６）上的第三晶体管（１３）以及隔着散热层（１７）设置在第三晶体管（１３）上的第四晶体管（１４）。第一晶体管（１１）具有：第一区域，其与设置第二晶体管的区域相对应；以及第二区域，其包围第一区域地形成，其中，发射区占基区的面积比例大于第一区域。第三晶体管（１３）也与第一晶体管（１１）一样，具有发射区占基区的面积比例不同的区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在单支撑基板上搭载多个半导体元件的半导体器件。
技术介绍
为了点亮作为液晶用背光源使用的冷阴极荧光放电管，例如使用图8所示的H型桥接电路80。H型桥接电路80具有高压侧的第一晶体管81以及第三晶体管83、和低压侧的第二晶体管82以及第四晶体管84。在第一晶体管81的发射极电极和第二晶体管82的集电极电极的连接点A1、与第三晶体管83的发射极和第四晶体管84的集电极的连接点A2之间，例如，连接有冷阴极荧光放电管等负载86。在H型桥接电路80中，如果利用控制电路85使第一晶体管81和第四晶体管84、与第二晶体管82和第三晶体管83交替进行开关，则在连接点A1和连接点A2之间可以交替流过电流，而使负载86工作。由此，在H型桥接电路80中，可以把直流电压转换为交流，点亮例如冷阴极荧光放电管。在单一的半导体器件中构筑这样的H型桥接电路80的情况下，存在下列问题由于在基板上搭载了4个晶体管以及控制这些晶体管的控制电路，因此导致半导体器件的平面面积变大，从而半导体器件的尺寸变大。于是，例如日本国特许公开公报S55-111151所公开的那样，提出了通过层叠半导体元件来缩小半导体器件的平面面积的方法。然而，采用了上述日本国特许公开公报S55-111151所公开的叠层方法的半导体器件，在工作时无法良好地对半导体元件所释放的热进行散热，有可能引起热失控从而损坏元件。特别是设置在下侧的半导体元件，由于工作时所产生的热和从层叠在上侧的半导体元件传递来的热更容易产生热量集中，因此更易于引起热失控。因此，希望开发一种可以层叠半导体元件从而缩小平面面积，并且具有良好的散热性而不使热量集中产生热失控的半导体器件。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于上述情况而做出的，其目的是提供一种具有良好的散热性的半导体器件。为了达到上述目的，本专利技术的第一方案涉及的半导体器件具有支撑基板、设置在上述支撑基板上的第一半导体元件、以及设置在上述第一半导体元件上的第二半导体元件，该半导体器件的特征在于，上述第一半导体元件具有半导体基体，该半导体基体具有第一导电型的第一半导体区、在上述第一半导体区的表面区域形成的第二导电型的第二半导体区、和在上述第二半导体区的表面区域形成的第一导电型的第三半导体区，上述第一半导体元件的上述半导体基体具有第一区域，形成在上述半导体基体的中心部，其中，上述第三半导体区占上述第二半导体区的比例为第一比例；以及第二区域，包围上述第一区域地形成在上述半导体基体的外周部，其中，上述第三半导体区占上述第二半导体区的比例为大于第一比例的第二比例。上述第一区域可以与设置上述第二半导体元件的区域对应地形成。上述第一区域可以形成为面积与上述第二半导体元件大致相同。上述第一半导体元件与上述第二半导体元件，可以交替地进行开关动作。也可以在上述第一半导体元件与上述第二半导体元件之间形成散热层。上述第三半导体区可以有多个，并相互分开地形成。上述第二半导体区可以形成为带状。上述第二半导体区可以有多个，相互分开且并排地形成。上述第二半导体区的杂质浓度，可以是在上述半导体基体的上述第一区域相对较高，在上述第二区域相对较低。上述半导体器件可以进一步具有隔着绝缘膜形成在上述第二半导体区上的第一电极，且该绝缘膜的膜厚，在上述半导体基体的上述第一区域相对较厚，在上述第二区域相对较薄。上述半导体基体可以进一步具有在第一区域与第二区域之间形成的第三区域，且该第三区域的上述第三半导体区占上述第二半导体区的第三比例，大于第一比例并小于第二比例。上述第二半导体元件也可以具有半导体基体，该半导体基体具有第一导电型的第四半导体区、在上述第四半导体区的表面区域形成的第二导电型的第五半导体区、和在上述第五半导体区的表面区域形成的第一导电型的第六半导体区，上述第二半导体元件的上述半导体基体具有第四区域，形成在上述半导体基体的中心部，其中，上述第六半导体区占上述第五半导体区的比例为第四比例；以及第五区域，包围上述第四区域且环状地形成在上述半导体基体的外周部，其中，上述第六半导体区占上述第五半导体区的比例为大于第四比例的第五比例。为了达到上述目的，本专利技术的第二方案所涉及的半导体器件具有支撑基板、设置在上述支撑基板上的第一半导体元件、设置在上述第一半导体元件上的第二半导体元件，形成在上述支撑基板上的第三半导体元件，以及设置在上述第三半导体元件上的第四半导体元件，该半导体器件的特征在于，上述第一半导体元件以及上述第三半导体元件分别具有半导体基体，该半导体基体具有第一导电型的第一半导体区、在上述第一半导体区的表面区域形成的第二导电型的第二半导体区、和在上述第二半导体区的表面区域形成的第一导电型的第三半导体区，各个上述半导体基体具有第一区域，形成在上述半导体基体的中心部，其中，上述第三半导体区占上述第二半导体区的比例为第一比例；以及第二区域，包围上述第一区域地形成在上述半导体基体的外周部，其中，上述第三半导体区占上述第二半导体区的比例为大于第一比例的第二比例。上述第一半导体元件的上述第一区域，可以形成在设置上述第二半导体元件的区域，上述第三半导体元件的上述第一区域可以形成在设置上述第四半导体元件的区域。也可以分别在上述第一半导体元件与上述第二半导体元件之间、以及上述第三半导体元件与上述第四半导体元件之间形成散热层。在上述支撑基板上也可以进一步形成控制用半导体元件，利用该控制用半导体元件，使上述第一半导体元件和上述第四半导体元件、与上述第二半导体元件和上述第三半导体元件交替地进行开关。为了达到上述目的，本专利技术的第三方案所涉及的半导体器件具有第一半导体元件，设置在支撑基板上；以及第二半导体元件，设置在上述第一半导体元件上，具有与第一半导体元件的半导体区相对的半导体区，该半导体器件的特征在于，上述第一半导体元件或者上述第二半导体元件中的至少一个半导体元件，在上述半导体区具有第一导电型的第一半导体区、在上述第一半导体区的表面区域形成的第二导电型的第二半导体区、和在上述第二半导体区的表面区域形成的第一导电型的第三半导体区，上述至少一个半导体元件具有第一区域，形成在上述半导体区的中心部，其中，上述第三半导体区占上述第二半导体区的比例为第一比例；第二区域，包围上述第一区域地形成在上述半导体区的外周部，其中，上述第三半导体区占上述第二半导体区的比例为大于第一比例的第二比例。为达到上述目的，本专利技术的第四方案所涉及的半导体器件，具有在支撑基板上依次层叠的多个半导体元件，该半导体器件的特征在于，上述多个半导体元件中、具有至少一部分面向相邻的半导体元件的半导体区域的半导体元件，分别在上述半导体区域具有第一导电型的第一半导体区、在上述第一半导体区的表面区域形成的第二导电型的第二半导体区、和在上述第二半导体区的表面区域形成的第一导电型的第三半导体区，上述第三半导体区占上述第二半导体区的比例为第一比例的第一区域，形成在上述半导体区的中心部；上述第三半导体区占上述第二半导体区的比例为大于第一比例的第二比例的第二区域，包围上述第一区域地形成在上述半导体区的外周部。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式涉及的半导体器件的结构例的俯视图。图2是图1所示的半导体器件的X-X’线的剖视图。图3是表示本专利技术的实施方式涉及的第一晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，具有：支撑基板、设置在上述支撑基板上的第一半导体元件、以及设置在上述第一半导体元件上的第二半导体元件，其特征在于，上述第一半导体元件具有半导体基体，该半导体基体具有：第一导电型的第一半导体区、在上述第一半导体区的表面 区域形成的第二导电型的第二半导体区、和在上述第二半导体区的表面区域形成的第一导电型的第三半导体区，上述第一半导体元件的上述半导体基体具有：第一区域，形成在上述半导体基体的中心部，其中，上述第三半导体区占上述第二半导体区的比例为第一比 例；以及第二区域，包围上述第一区域地形成在上述半导体基体的外周部，其中，上述第三半导体区占上述第二半导体区的比例为大于第一比例的第二比例。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：鸟居克行，金泽正喜，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]