在快闪存储器件中形成金属线的方法技术

在快闪存储器件中形成金属线的方法包括在形成接触塞的衬底上相继形成第一层间绝缘层、蚀刻停止层、第二层间绝缘层和硬掩模层，蚀刻硬掩模层以形成硬掩模图案，在第二层间绝缘层上实施第一蚀刻工艺以形成暴露部分蚀刻停止层的沟槽，实施第二蚀刻工艺以选择性地去除硬掩模图案和蚀刻停止层的暴露部分，在沟槽的侧壁上方形成间隔物以及形成填充沟槽以与接触塞接触的金属线。硬掩模层和蚀刻停止层包括基本相同的材料。间隔物包括与第一和第二层间绝缘层基本相同的材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造半导体器件的方法；更具体而言，涉及在半导体存储器件中形成金属线的方法。
技术介绍
通常在半导体存储器件中，金属线用于将从外部施加的驱动电压转移到半导体结构的底部。需要接触塞以在金属线和某些半导体结构之间形成电接触。在NAND快闪存储器件中，源接触塞SRCT以及漏接触塞DRCT是接触塞的实例。SRCT在源区和金属线之间形成接触。DRCT在漏区和金属线之间形成接触。具体而言，在70nm级NAND快闪存储器件中，单大马士革工艺或双大马士革工艺用来形成金属线。在这种大马士革工艺中，形成沟槽或通孔的蚀刻工艺利用硬掩模设计以实现金属线图案的最小化并克服与光致抗蚀剂厚度相关的局限。图1A-1F说明由典型方法相继制造的快闪存储器件金属线的截面图。具体而言，为了描述的简便，图1A-1F说明在DRCT形成之后的相关工艺。参考图1A，利用已知方法在已经形成DRCT的衬底10上相继形成第一层间绝缘层11、蚀刻停止层12、第二层间绝缘层13和硬掩模层14。第一层间绝缘层11和第二层间绝缘层13由氧化物材料形成。蚀刻停止层12由氮化物材料形成。硬掩模层14由钨(W)形成。参考图1B，利用掩本文档来自技高网...

【技术保护点】
在快闪存储器件中形成金属线的方法，该方法包括：在已经形成接触塞的衬底上相继形成第一层间绝缘层、蚀刻停止层、第二层间绝缘层和硬掩模层；蚀刻硬掩模层以形成硬掩模图案；利用硬掩模图案作为掩模在第二层间绝缘层上实施第一蚀刻工 艺以形成暴露部分蚀刻停止层的沟槽；实施第二蚀刻工艺以选择性地去除硬掩模图案和蚀刻停止层的暴露部分；在沟槽的侧壁上方形成间隔物，所述间隔物包括与第一层间绝缘层基本相同的材料；和形成填充沟槽以与接触塞接触的金属线。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵廷一，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]