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在快闪存储器件中形成金属线的方法技术
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下载在快闪存储器件中形成金属线的方法的技术资料
文档序号:3237231
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在快闪存储器件中形成金属线的方法包括在形成接触塞的衬底上相继形成第一层间绝缘层、蚀刻停止层、第二层间绝缘层和硬掩模层,蚀刻硬掩模层以形成硬掩模图案,在第二层间绝缘层上实施第一蚀刻工艺以形成暴露部分蚀刻停止层的沟槽,实施第二蚀刻工艺以选择性地...
该专利属于海力士半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。
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