具有体接触的并联场效应晶体管结构及集成电路制造技术

通过与第一或者主场效应晶体管（“ＦＥＴ”）（６２０）电并联放置的一个或者多个第二ＦＥＴ（６３２），将第一ＦＥＴ（６２０）与至其的体接触分隔开。以此方式，第一ＦＥＴ（６２０）的主体可以延伸至由第二ＦＥＴ（６３２）占有的区域中，以允许对第一ＦＥＴ（６２０）主体进行接触。在一个实施例中，第一ＦＥＴ（６２０）的栅极导体和第二ＦＥＴ（６３２）的栅极导体是单块导电图形的整体部分。将单块导电图形制作得如期望的一样小，并且将其制作成与位于集成电路之上的栅极导体的最小预定线宽一样小，所述集成电路包括体接触的ＦＥＴ。以此方式，可以保持面积和寄生电容较小。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种半导体器件结构，包括：衬底的单块单晶半导体区域（６００）；第一场效应晶体管（“ＦＥＴ”）（６２０），具有在所述单块单晶区域（６００）中布置的第一源区（６２４）和第一漏区（６２６），所述第一源区（６２４）和第一漏区（６２６ ）限定第一源漏导电通路（６２２）；至少一个第二场效应晶体管（“ＦＥＴ”）（６３２），具有与所述第一ＦＥＴ（６２０）的所述第一源漏导电通路（６２２）电并联的第二源漏导电通路（６３３），所述至少一个第二ＦＥＴ（６３２）具有包括第二源区（ ６５２）和第二漏区中的至少一个的第二扩散区域，所述第二源漏导电通路（６３３）在所述第二扩散区域与所述第一源区（６２４）和所述第一漏区（６２６）中的至少一个之间延伸；以及所述单块单晶区域（６００）的体接触部分，其与所述第二扩散区域具有 结。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：JD沃诺克，GE史密斯三世，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]