一种发光装置，其特征在于，具备： 基体，其具有由光反射面及底面构成的开口部； 发光元件，其安装于所述开口部的所述底面上； 透光性部件，其覆盖所述发光元件，并与所述开口部的所述光反射面隔开距离，且被设于所述开口部的所述底面上 ；和 光学部件，其设于所述透光性部件上。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用了例如发光二极管元件等光源的发光装置。
技术介绍
近年来，作为例如照明器具等发光装置，正在开发使用了发光二极管 等的装置。采用了该发光二极管的发光装置，将发光二极管元件等所发出 的光由荧光材料等变换成波长不同的光，制作出白色光等的输出光。釆用 了这种发光二极管元件等的照明器具等，期待低耗电量化及长寿命化。专利文献l:(日本)特开2003—282955号公报上述采用了发光二极管元件等光源的发光装置在期待更普及方面上 重要的是提高发光亮度。关于该发光亮度的提高，光源所发出的光的取出 效率得到提高是重要的。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的课题而构成的，其目的在于，使发光装置的发光 亮度提高。本专利技术提供一种发光装置，其包括具有由光反射面及底面构成的开 口部的基体、安装于开口部的底面上的发光元件、覆盖发光元件的透光性 部件、和设于透光性部件上的光学部件。透光性部件与开口部的光反射面隔开距离且被设于开口部的底面上。本专利技术具备自开口部的光反射面隔开距离且被设于开口部的底面上 的透光性部件，由此，将由发光元件发出的光导向光射出方向的效率得到 提高，且发光装置的亮度得到提高。附图说明图1是表示第一实施方式的结构的立体图；图2是表示第一实施方式的结构的平面透视图3是表示第一实施方式的结构的剖面图4是表示第一实施方式的透光性部件3的结构的立体图5是表示第一实施方式的光学功能的剖面图6是表示第一实施方式的透光性部件3的结构的剖面图7是表示第一实施方式的光学特性的剖面图8是表示第一实施方式的制造方法的立体图9是表示第二实施方式的结构的立体图IO是表示第二实施方式的结构的剖面图11是表示第二实施方式的基体21的结构的立体图12是表示第二实施方式的透光性部件23的结构的立体图;图13是表示第二实施方式的光学部件24的结构的立体图14是表示第二实施方式的光学功能的剖面图15是表示第三实施方式的结构的立体图16是表示第三实施方式的结构的剖面图17是表示第三实施方式的透光性部件33的结构的立体图;图18是表示第三实施方式的光学部件34的结构的立体图19是表示第三实施方式的光学功能的剖面图20是表示第四实施方式的结构的图21是表示第五实施方式的的结构的立体图22是表示第六实施方式的结构的剖面图23是表示第六实施方式的其它结构的剖面图24是表示第七实施方式的结构的立体图25是表示第八实施方式的结构的立体图。符号说明1基体lr光反射面lu 底面lp开口部2发光元件3透光性部件4光学部件5波长变换部件D光射出方向具体实施例方式参照附图详细说明本专利技术的发光装置的实施方式。 (第一实施方式)使用图1 图3说明本专利技术第一实施方式。图1是表示第一实施方式 的发光装置的结构的立体图。图1中，对于发光装置的一部分结构而言， 由于表示发光装置的内部的结构，故省略图示。图2是从图1所示的发光 装置的波长变换部件侧看到的平面透视图。图2中，由虚线表示通过透视 可看到的结构。图3是图2所示的发光装置的A—A'线的剖面图。本实施方式的发光装置具备基体1、安装于基体1上的发光元件(光 源)2、覆盖发光元件2的透光性部件3、和设于透光性部件3上的光学部 件4。本实施方式的发光装置还具备覆盖发光部件4的波长变换部件(波 长变换装置)5。在此，覆盖光学部件4是指将波长变换部件5设置在自 发光部件4放射的光到达的位置。本实施方式中，基体1具有由光反射面lr和底面lu构成的开口部lp。 在此，基体1的光反射面lr是将由发光元件2发出的光的至少一部分波长 的光向光射出方向D反射的面。光射出方向D是指从发光装置输出的光 的行进方向，在图1中为上方(假设的xyz坐标中为z轴的正方向)。图l 中，发光装置以安装在假设的xyz坐标中的xy平面的状态表示。在基体l 的表面(底面lu)上，与发光元件2所形成的多个电极对应，设有与该多 个电极电连接的第一及第二连接焊盘。发光元件2如图4所示，是具有上端2t及侧面2s的发光二极管，其 设于基体l的开口部lp的底部lb。在图l所示的结构中，发光元件2安 装于基体1的开口部lp的底面lu，光至少从侧面2s放射。发光元件2发 出具有210nm 470nm的至少一部分波长的光。在本实施方式中，发光元件2是具备基板上、n型半导体层、发光层及p型半导体层的发光二极管。在发光元件2的n型半导体层和p型半导 体层分别设有n侧电极、p侧电极。发光元件2按照光至少朝向侧方(与 层叠方向垂直的方向)射出的方式被构成。在此，图1中，发光元件2的 层叠方向为假设的坐标中的z轴方向，发光元件2的侧方是指假设的坐标 中的x轴方向及y轴方向等。发光元件2例如是ZnO系氧化物半导体发光二极管，发出在230nm 450nm的波长范围具有峰值波长的第一光。作为发光元件2的其它例子， 例如有碳化硅(SiC)系化合物半导体、金刚石系化合物半导体、氮化硼 系化合物半导体等化合物半导体。本实施方式中，透光性部件3覆盖发光元件2，且从开口部lp的光反 射面lr离开而设于开口部lp的底面lu上。在此，覆盖发光元件2是指覆 盖发光元件2的侧面2s的至少一部分。在图4所示的结构中，透光性部 件3包围发光元件2的侧面ls及上端lt。透光性部件3具有侧面3s和附 着于光学部件4的上表面3u，并具有将自发光元件2的侧面放射的光导向 光射出方向D的功能。透光性部件3的侧面3s是具有将自发光元件2的 侧面2s放射的光通过全反射而导向光射出方向D的功能的光反射装置。该透光性部件3由硅树脂、环氧树脂、有机无机混合树脂等透光性材 料构成，按照覆盖发光元件2的方式部分地设于基体1的开口部lp的底 部lb。在此，透光性是指由发光元件2发出的光的至少一部分波长可透过。 透光性部件3优选由硅树脂构成。就硅树脂而言，由于与环氧树脂等相比 其耐热性优良，因此可降低由发光元件2产生的热的影响。通过使用耐热 性优良的透光性部件3，来降低光学部件4的热改性(变色等)。透光性部件3在开口部lp的底部lb按照与发光元件2的侧面2s和 光学部件4的下表面相接的方式设置。即，透光性部件3自基体l的开口 部lp的内周面离开而设置，且将光学部件4的下表面和发光元件2的侧 面2s覆盖。这样的透光性部件3具有将自发光元件2的侧面2s放射的光 导向光学部件4的功能。另外，将透光性部件3的折射率设为nl、将透光 性部件3和基体1的开口部lp的内周面之间的层(图1中为空气层)的 折射率设为n2时，折射率nl、 n2满足nl〉n2的关系。图1中，透光性 部件3的侧面3s与具有比透光性部件3的折射率小的折射率的空间(空气层)相接。在本实施方式的发光装置中，透光性部件3附着于光学部件4的下表面和基体1的底面lu这两者上，且介于光学部件4和透光性部件3之间， 透光性部件3的侧面3s形成在从光学部件4的表面至基体1的表面的范 围。本实施方式的发光装置，通过这样的结构来降低将发光元件2从侧方 射出的光导向上方(光射出方向d)时的能量损失。在此，对透光性部件3的侧面3s的光的反射进行说明。发光元件2 从侧面2s射出的光如图4、 5所示，由透光性部件3的侧面3a反射而朝光 学部件4的下表面(光学部件4的发光元件2侧的面)行进。之后，进入 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，具备： 基体，其具有由光反射面及底面构成的开口部； 发光元件，其安装于所述开口部的所述底面上； 透光性部件，其覆盖所述发光元件，并与所述开口部的所述光反射面隔开距离，且被设于所述开口部的所述底面上；和 光学部件，其设于所述透光性部件上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：松浦真吾，田渊智也，形部浩介，森裕树，三宅彻，作本大辅，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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