侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管，该晶体管包括至少一个以上的Ｐ型场效区块，其在延伸漏极区域中形成，该延伸漏极区域在一Ｎ型井中。该Ｐ型场效区块在Ｎ型井中形成结场效，以将寄生电容等电容值化，该寄生电容位于漏极区域以及源极区域之间。并提供一个具有高击穿电压，低导通阻抗，以及隔离结构的晶体管，以供单芯片整合制造方法应用。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管，尤指一种大功率具有等寄生电容值的高压低导通阻抗侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管。
技术介绍
公知利用单芯片制造方法来整合功率开关器件与控制电路已经是电力电子集成电路发展的主流技术，其中侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管技术在近来已开始被应用到单芯片集成电路制造工艺中。侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管制造方法是一种在半导体衬底上侧面扩散，而得以在侧向方向形成一主要电流路径的技术。一个利用低平面电场技术与低厚度的外延或N型井的侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管制造方法，可以达到同时具有高压与低导通阻抗的特性。虽然具有高压与低导通阻抗的侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管已经可以被制造出来，但是制造工艺却过于繁杂，增加了生产成本，且降低了制造工艺的合格率。再者，上述种种技术更有另外一个缺点，即源极没有隔离的源极结构。这种没有隔离的晶体管，会导致电流在衬底内流动，从而导致控制电路受到其产生的噪声干扰。此外，在侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管内部的这种电流，会产生接地弹跳(ground bounce)，进而干扰控制信号。由上可知，上述公知本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于包含：一第一型离子掺杂区域，其内含第一型导电离子，其包含一第一扩散区域以及一第二扩散区域；一漏极扩散区域，其内含重掺杂第一型导电离子，以在该第一扩散区域内形成一漏极区域；至少一个以上的第二型离子场效区块，形成在该第一扩散区域内；一源极扩散区域，内含重掺杂第一型导电离子，以在该第二扩散区域内形成一源极区域；一沟道，形成在该漏极区域与该源极区域之间；一栅极电极，形成在该沟道上方；以及一第二型离子掺杂区域，形成在该第二扩散区域内，将该源极区域包围起来以与其它区域隔离。

【技术特征摘要】
1.一种侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于包含一第一型离子掺杂区域，其内含第一型导电离子，其包含一第一扩散区域以及一第二扩散区域；一漏极扩散区域，其内含重掺杂第一型导电离子，以在该第一扩散区域内形成一漏极区域；至少一个以上的第二型离子场效区块，形成在该第一扩散区域内；一源极扩散区域，内含重掺杂第一型导电离子，以在该第二扩散区域内形成一源极区域；一沟道，形成在该漏极区域与该源极区域之间；一栅极电极，形成在该沟道上方；以及一第二型离子掺杂区域，形成在该第二扩散区域内，将该源极区域包围起来以与其它区域隔离。2.如权利要求1所述的侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于还包括一栅极氧化层以及一场氧化层，形成在该栅极电极的下方；一漏极间隙，形成在该漏极扩散区域以及该场氧化层之间，在该漏极扩...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志丰，杨大勇，林振宇，简铎欣，
申请(专利权)人：崇贸科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]