【技术实现步骤摘要】
本技术是有关一种抗电蚀结构,特别是有关一种制作简便且有效增长电子元件使用寿命的集成电路杭电蚀结构。
技术介绍
按,传统在液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)与控制集成电路晶片(controller IC)的接合方式上,以往是以热压(heat seal)的结合方式将两者接合。但随着现今在线路的间距(pitch)日益缩小的情形下,发展出卷带式封装(Tape Automated Bonding,TAB)及玻璃覆晶(Chip On Glass,COG)的生产制程。通常卷带式封装是IC晶片在晶圆厂完成后,请厂商在IC晶片上长全凸块(Gold Bump),然后将长好全凸块的晶片接合在软板上,再将IC晶片以异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)为中间介面,接合在LCD的氧化铟锡(Indio Tin Oxide,ITO)端形成集成电路连接。然而此部分的连接方式在使用时,因本身电压差及带电离子累积的问题,造成此连接部分产生电蚀,使得在长期使用下ITO与ACF连接处容易断裂,而此问题是目前业界急于解决的困扰。有 ...
【技术保护点】
一种集成电路抗电蚀结构,其特征在于,包括: 至少一集成电路,其表面上设有复数金属凸块; 复数导电电极,其是利用一导电胶使每一该导电电极一端分别连接至每一该金属凸块;以及 复数导线,其二端是分别连接在每一该导电电极上,且该等导线一端是位于该导电胶内。
【技术特征摘要】
1.一种集成电路抗电蚀结构,其特征在于,包括至少一集成电路,其表面上设有复数金属凸块复数导电电极,其是利用一导电胶使每一该导电电极一端分别连接至每一该金属凸块;以及复数导线,其二端是分别连接在每一该导电电极上,且该等导线一端是位于该导电胶内。2.如权利要求1所述的集成电路抗电蚀结构,其特征在于,其中,该导电胶是为异方性导电胶膜。3.如权利要求1所述的集成电路抗电蚀结构,其特征在于,其中,该金属凸块是为锡金属及...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾荣祥,杨庆曦,何佩璋,王译贤,
申请(专利权)人:凌巨科技股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]
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