温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型涉及一种侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管，该晶体管包括至少一个以上的Ｐ型场效区块，其在延伸漏极区域中形成，该延伸漏极区域在一Ｎ型井中。该Ｐ型场效区块在Ｎ型井中形成结场效，以将寄生电容等电容值化，该寄生电容位于漏极区域以及源极区域...
该专利属于崇贸科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过崇贸科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。