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一种晶片研磨用定位环制造技术

技术编号:3227203 阅读:161 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种晶片研磨用定位环,其特征在于:在一体成型的塑胶无缝环体顶端沿其周向间隔开设有与驱动装置连接定位的螺孔,在环体内孔的周壁上开设有向外倾斜贯通的排水孔,在环体底端面上间隔开设有水平倾斜的排液凹槽,环体的内孔与待研磨的晶片外圆全周边套合定位。(*该技术在2011年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体晶片加工设备,特别是一种晶片研磨用定位环。另台湾314485号专利公报中公开了一种晶片研磨用设备,其是以一定压力驱转板片上所设置固定的晶片,然后与贴附有研磨布的固定盘作相对转动,在研磨布与晶片间有时还要施以研磨剂。这种结构的研磨用设备同前述设备一样存在定位不准,因连接环节多易窜动影响定位准确性的缺点。另外,在实施研磨剂的研磨过程中,其研磨剂及研磨后废液无正常通畅的排流通道,致使废液积存而影响研磨时的旋转,即增加了阻力,同时又造成不洁净的加工。另外,上述两种晶片研磨用设备均无完善冷却设置致使研磨件间温度较高并产生缩胀变形,这种少量的变形也会影响定位精度和加工精度。由于采用了塑胶整体式定位环内孔与待研磨晶片外圆整体套置定位的方式,使晶片的整个外圆周均能于旋转的环体内孔较紧密地、全方位的定位卡合并进行周边限位,因而其稳定性、同轴度均有提高,防止了晶片研磨过程中因受磨擦力影响而水平窜动。另由于其具有均布通畅的冷却水和废液排流通道,因而既可用同一设备完成晶片的干研磨和实施研磨剂后的湿研磨,又避免了调换研磨设备而需重新定位而导致的两工序不同心问题,因而可保证研磨过程中晶片本体温度低而均匀,防止了热胀冷缩导致的晶片及定位环变形而导致装配的牢固度下降和不同轴度的产生。图2为附图说明图1的I-I剖面图。图3为将图1翻转180度后的呈现其底部结构时的立体图。优选的实施方式下面将结合附图1-3对本技术的具体结构作详细的说明一种晶片研磨用定位环,其特征在于在一体成型的塑胶无缝环体2顶端沿其周向间隔开设有与驱动装置连接定位的螺孔4,在环体2内孔5的周壁上开设有向外倾斜贯通的排水孔3,在环体2底端面上间隔开设有水平倾斜的排液凹槽7,环体2的内孔5与待研磨的晶片外圆全周边套合定位。参见图1至图3。环体2顶端上的螺孔4为不透的螺纹沉孔,螺孔4各间隔20度沿周向呈放射状分布。参见图1和图2。环体2内孔5周壁上所开设的排水孔3的内孔口均设置在环体周壁厚度的1/2以上部分,并沿环体宽度方向向外周的斜下方倾斜贯通。参见图2。排水孔3间隔60度沿周向呈放射状分布。参见图1。环体2底端面上的排液凹槽7与环体底端面呈水平设置、而沿环体底端面周向呈螺旋或倾斜状开设,各排液凹槽7的沿周向倾斜或螺旋状开设的倾旋方向与环体2旋转时方向相同。参见图3。排液凹槽7各间隔20度设置。参见图3。本技术实施例中所述定位环1的环体2,是由承载性及耐磨性与耐化学品腐蚀性较佳的聚苯档硫(Polyphenylene sulfide PPS)晶状塑胶一体成型,其形状为正圆形无端环,内径配合待研磨晶片的外径,用以套合待研磨的晶片周边定位(图上未示),两者无间隙存在,故环体的旋转中心即为晶片的旋转中心,且旋转时不致产生位移。环体周壁上有贯穿周壁等角度排列的复数个横向由内向外倾斜的用以排出冷却水的出水孔3。本实施例的出水孔3各间隔60度分布,共六个。环体2顶端有复数个等距离环形排列的螺孔4,用以结合驱动件定位(图上未示),同时用以以电脑测定旋转中心。本实施例的螺孔4各相距20度分布,环形排列18个,环体2底端有由内孔5向外环面6水平倾斜的复数条斜旋状排列的凹槽7,用以于定位环2旋转时,利用离心力摔出研磨所产的废物(图上未示)。本实施例的凹槽7各相距20度,环形排列共18条。本技术环体2的材料,也可为聚醚醚甲酮(Polyether-etherketonPEEK)或半晶状热塑聚酯(Semi-crystaline Thermoplastic polyester)等制成。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片研磨用定位环,其特征在于在一体成型的塑胶无缝环体顶端沿其周向间隔开设有与驱动装置连接定位的螺孔,在环体内孔的周壁上开设有向外倾斜贯通的排水孔,在环体底端面上间隔开设有水平倾斜的排液凹槽,环体的内孔与待研磨的晶片外圆全周边套合定位。2.根据权利要求1所述的一种晶片研磨用定位环,其特征在于环体顶端上的螺孔为不透的螺纹沉孔,螺孔各间隔20度沿周向呈放射状分布。3.根据权利要求1所述的一种晶片研磨用定位环,其特征在于环体内孔周壁上所开设的排水孔的内孔...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈水源陈水生陈添丁
申请(专利权)人:陈水源陈水生陈添丁
类型:实用新型
国别省市:

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