金属氧化物半导体场效应晶体管制造技术

一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括一基底、间隙壁、源极与漏极延伸层及源极与漏极层。其中，基底上配置有栅极结构，而间隙壁位于此栅极结构的侧壁上。源极与漏极延伸层位于间隙壁以下的基底中，而源极与漏极层位于间隙壁以外的基底中。此外，源极与漏极层的深度大于源极与漏极延伸层的深度。源极与漏极延伸层及源极与漏极层均为应变层（ｓｔｒａｉｎｅｄ　　ｌａｙｅｒ）。因为源极与漏极延伸层及源极与漏极层具有特定的材料与结构，所以能够改善短沟道效应，并使此金属氧化物半导体场效应晶体管具有优异的效能。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：　　　　基底；　　　　栅极结构，配置于该基底上；　　　　间隙壁，位于该栅极结构的侧壁上；　　　　源极与漏极延伸层，位于该间隙壁以下的该基底中；以及　　　　源极与漏极层，位于该间隙壁以外的该基底中，该源极与漏极层的深度大于该源极与漏极延伸层的深度，　　　　其中，该源极与漏极延伸层及该源极与漏极层均为应变层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡振华，蓝邦强，林育信，刘毅成，蔡成宗，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]