半导体发光元件及其制作方法技术

一种半导体发光元件包括：一具有一级导电性的复合半导体衬底；一发光层；一具有二级导电性且不含Ａｌ的复合半导体界面层；以及一具有二级导电性且由不含Ａｌ的复合半导体制成的电流扩散层。一种制造该半导体发光元件的方法，包括步骤：在该复合半导体衬底上形成该发光层和该复合半导体界面层；在该复合半导体界面层上形成该电流扩散层，其中一生成过程暂停一预定时间，以使一重新生成界面安排在该复合半导体界面层的表面。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光元件。更具体地讲，涉及一种四元合金发光二极管(LED)的结构及其制作方法，该四元合金发光二极管(LED)是由铝镓铟磷(AlGaInP)四种合金材料制成的，用以组成一在红到绿色波段内发光的高发光性LED。近年来，一种由AlGaInP制成的高亮度四元合金LED作为一种提供给用于室内和室外的各种类型的显示装置的发光元件，已成为特别关注的对象。一种四元合金材料能使制成一种在从红到绿色波段的大范围可见波长区域内发光的LED。一种用于黄色波段的传统四元合金LED 1100的典型结构在图7A和图7B中示出图7A是该结构的透视图；图7B是该结构的概略断面图。在此结构中，由金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)在n-GaAs衬底50上按下列次序顺序排列有一n-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P覆盖层51(掺有硅(Si)，载流子浓度约5×1017cm-3，厚度约1.5μm)、一无掺杂(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5P有源层52(厚度约0.7μm)、一p-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P覆盖53(掺有锌(Zn)，载流子浓度约5×1017cm3，厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，包括： 一具有一级导电性的复合半导体衬底； 一发光层； 一具有二级导电性并不含Ａｌ的复合半导体界面层；和 一具有二极导电性并由不含Ａｌ的复合半导体制成的电流扩散层。

【技术特征摘要】
JP 1997-1-29 14906/971.一种半导体发光元件，包括一具有一级导电性的复合半导体衬底；一发光层；一具有二级导电性并不含Al的复合半导体界面层；和一具有二级导电性并由不含Al的复合半导体制成的电流扩散层。2.按照权利要求1所述的一半导体发光元件，其中，还进一步包括一具有一级导电性并由不含Al的复合半导体制成的电流集聚层，其位于该复合半导体界面层和电流扩散层之间。3.按照权利要求2所述的一半导体发光元件，其中，该电流扩散层的载流子浓度由其在该复合半导体界面层上的一区域向其在一顶部电极下面的区域增加。4.按照权利要求2所述的一半导体发光元件，其中，该发光层具有一双重异晶结构，其中一具有一级导电性的AlGaInP或AlInP覆盖层、一AlGaInP或GaInP有源层、以及一具有二级导电性的AlGaInP或AlInP覆盖层依次顺序形成。5.按照权利要求2所述的一半导体发光元件，其中，还进一步包括一提供了光反射作用的半导体层，其位于该复合半导体衬底和该发光层之间。6.按照权利要求2所述的一半导体发光元件，其中，还进一步包括一具有中间带隙的带隙调节层，其位于该发光层和该复合半导体界面层之间。7.按照权利要求2所述的一半导体发光元件，其中，还进一步包括一缓冲...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木和明，中村淳一，
申请(专利权)人：夏普公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]