半导体发光元件及其制造方法技术

半导体发光元件包括：衬底；半导体多层结构，该结构至少包括第一导电类型的第一包层，有源层和第二导电类型的第二包层，它们按此顺序在衬底上形成；和电流扩散层，该层由包括在半导体多层结构上形成的第二导电类型的Ｇａ↓［１］－↓［ｘ］Ｉｎ↓［ｘ］Ｐ（ｏ＜ｘ＜１）的材料制成。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光元件，例如发光二极管，并涉及这种元件的制造方法。由于多种原因，通常将用AlGaInP半导体材料制成的半导体发光元件用作可见光发光元件。这就是说，AlGaInP材料具有能够与GaAs衬底晶格匹配，在III-V族化合物半导体中有最大的直接跃迁带隙的优越特性，以及类似特性。特别是，在通过直接跃迁发出550到690nm范围的光的发光二极管(LED)中，可获得高的发射效率。然而，常规的由AlGaInP材料制成的表面发射型半导体发光元件，在光输出效率方面存在问题。这一问题将用附图说明图12所示的常规LED作为例子来说明。图12所示常规LED包括半导体多层结构1212，该结构由在n-型GaAs衬底121上形成的n-型AlGaInP第一包层123，GaInP有源层124，和p-型AlGaInP第二包层125构成。在p-型包层125的中央部分上形成有p-侧电极1211，而在n-型衬底121的背面上形成有n-侧电极1210。在LED的光发射部分即GaInP有源层124中产生的光，经p-型包层125上没有形成p-侧电极1211的表面部分发出。为提高这种LED的发射效率，需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件包括： 衬底； 半导体多层结构，该结构至少包括第一导电类型的第一包层，有源层和第二导电类型的第二包层，它们按此顺序在衬底上形成；和 电流扩散层，该层由包括在半导体多层结构上形成的第二导电类型的Ｇａ↓［１－ｘ］Ｉｎ↓［ｘ］Ｐ（０＜ｘ＜１）的材料制成。

【技术特征摘要】
JP 1997-2-28 46337/971.一种半导体发光元件包括衬底；半导体多层结构，该结构至少包括第一导电类型的第一包层，有源层和第二导电类型的第二包层，它们按此顺序在衬底上形成；和电流扩散层，该层由包括在半导体多层结构上形成的第二导电类型的Ga1-xInxP(0＜x＜1)的材料制成。2.如权利要求1的半导体发光元件，其特征在于电流扩散层的In克分子系数x在约0＜x＜0.49的范围内。3.如权利要求1的半导体发光元件，其特征在于电流扩散层的In克分子系数x在约0＜x＜0.27的范围内。4.一种半导体发光元件包括衬底；半导体多层结构，该结构至少包括第一导电类型的第一包层，有源层和第二导电类型的第二包层，它们按此顺序在衬底上形成；和电流扩散层，该层由包括在半导体多层结构上形成的第二导电类型的Ga1-xInxP(0＜x＜1)的材料制成，其中电流扩散层的In克分子系数x在厚度方向上变化。5.如权利要求4的半导体发光元件，其特征在于电流扩散层的变化的In克分子系数x在约0＜x＜0.49的范围内。6.如权利要求4的半导体发光元件，其特征在于电流扩散层的变化的In克分子系数x在约0＜x＜0.27的范围内。7.如权利要求1的半导体发光元件，其特征在于有源层由(AlyGa1-y)zIn1-zP(0≤y≤1，0≤z≤1)，(AlpGa1-p)zAs(0≤p≤1)，或InqGa1-qAs(0≤q≤1)制成。8.如权利要求1的半导体发光元件，其特征在于形成一对电极，该对电极具有插入其间的衬底，半导体多层结构，和电流扩散层，并且形成电流阻挡层，使之面对在电流扩散层一侧的一个电极，此时电流扩散层插入在该个电极和电流阻挡层之间。9.如权利要求4的半导体发光元件，其特征在于形成一对电极，该对电极具有插入其间的衬底，半导体多层结构，和电流扩散层，并且形成电流阻挡层，使之面对在电流扩散层一侧的一个电极，此时电流扩散层插入在该个电极和电流阻挡层之间。10.如权利要求8的半导体发光元件，其特征在于在电流扩散层一侧的...

【专利技术属性】
技术研发人员：细羽弘之，
申请(专利权)人：夏普公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]