具有难熔金属覆盖的低阻金属导体线路和通路的器件制造技术

一种包括一衬底、一位于所述衬底上的介质层以及位于该介质层上的一个窗口内的金属化部分的器件，其中的金属化部分从与上述介质层和衬底的界面共平面的表面延伸出来，由窗口内侧表面上的衬垫、衬垫上的低电阻率金属或合金组成，其上覆盖有难熔金属或合金盖层。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及一种器件，具体地说涉及通过采用物理汽相淀积(PVD)法淀积低阻金属和化学汽相淀积(CVD)法淀积难熔金属的组合来填充衬底上的窗口的一种低成本方法制作的器件。本专利技术特别适用于亚微米电路的制作。低阻金属，诸如铝和铜以及它们的二元或三元的合金已广泛用于半导体制作的细线互连。细线互连金属的典型例子包括AlxCuy，其中x与y之和等于1，且x与y都大于或等于0而又小于或等于1，三元合金，如Al-Pd-Cu、Al-Pd-Nb及Al-Cu-Si和其它以低阻金属为基的合金。如今要强调的是随着超大规模集成(VLSI)电路制作的线条宽度的尺寸按比例缩小，已经带来包括不适当的绝缘、电迁移及平面化方面的可靠性问题。Ahn等人在lBM技术公开公报((Vol、33，No.5，Oct，1990，pp.217-218)上披露了用WF6和SiF4的含氢混合物选择性淀积制造包覆以钨的铜导体与通孔。密封了的互连线，像Ahn等人做的那样，具有很高的抗电迁移能力，并且选用晶粒尺寸小的钨膜，以减小反射率，因而增强光刻设备聚焦的能力与光刻胶的解象能力。但是，采用Ahn等人描述的低温方法所形成的钨层理应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，包括： 一衬底； 一位于所述衬底上的介质层，以及 位于所述介质层上的一个窗口内的金属化部分，该金属化部分从与所述介质层朝向所述衬底的表面共平面的表面延伸出来，所述金属化部分由位于所述窗口内侧表面的难熔金属或合金衬垫以及位于所述用难熔金属或合金盖层覆盖的所述衬垫上的低电阻率金属或合金组成，其中，所述衬垫的难熔金属或合金不同于所述盖层的难熔金属或合金。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 1992-2-26 8419671.一种器件，包括一衬底；一位于所述衬底上的介质层，以及位于所述介质层上的一个窗口内的金属化部分，该金属化部分从与所述介质层朝向所述衬底的表面共平面的表面延伸出来，所述金属化部分由位于所述窗口内侧表面的难熔金属或合金衬垫以及位于所述用难熔金属或合金盖层覆盖的所述衬垫上的低电阻率金属或合金组成，其中，所述衬垫的难熔金属或合金不同于所述盖层的难熔金属或合金。2.如权利要求1的器件，其特征在于还包括一层位于至少一部分所述低电阻率金属或合金和所述难熔金属或合金之间的导电粘结层。3.如权利要求2的器件，其特征在于所述粘结层选自包括钛、钨...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷吉夫V乔西，杰罗姆J库欧莫，霍玛兹雅M达拉尔，路易斯L苏，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]