【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管，具体涉及由有足够宽的带隙的半导体材料形成以在可见光光谱的兰光部分发光的发光二极管。发光二极管(LED)是光电子半导体器件。光电子半导体器件分为三类将电能转换为光辐射的器件(LED和二极管激光器)，探测光信号的器件(光电探测器)，和将光能转换为电能的器件(光电器件或太阳能电池)。尽管这三类器件都很有用，但由于LED可应用于例如科学仪器、医疗设备、或更普通的各种用户产品和应用，其中LED用作各种信号、指示器、量规、钟表等的光源以及许多其它类似应用，所以LED受到更普遍地认可。如LED的半导体光源长寿命、低功耗和高可靠性，特别需要它作为光输出器件。尽管有广泛用途，但LED的应用也受到某种程度的限制，因为能生产的LED的颜色从根本上受到形成LED的半导体材料特性的限制。本领域的普通技术人员都知道，LED产生的光称为“电致发光”，它代表在所加电场下电流通过材料时产生的光。任何给定的产生电致发光的材料在给定的条件下有相对窄的波长范围。因此电致发光和热辐射或白炽光不一样，不象它们那样有更宽的光谱宽度。更基本地，LED的发光是由半导体材料中各能级间...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.发光二极管的双异质结构，所述异质结构包括具有第一导电类型的铝镓氮层；具有相反导电类型的铝镓氮层；在所述铝镓氮层之间的氮化镓有源层，所述氮化镓层用II族受主和IV族施主一起掺杂，其中一种掺杂剂的量足以使所述氮化镓有源层有明确导电类型，所述有源层与有相反导电类型的相邻铝镓氮层形成p-n结。2.如权利要求1的双异质结构，其特征为所述氮化镓层为n型，所述II族受主为锌，所述IV族施主为硅。3.发光二极管的双异质结构，所述异质结构包括p型铝镓氮层；n型铝镓氮层；在所述铝镓氮层之间的n型氮化镓层，所述氮化镓层用锌和硅一起掺杂，并与所述p型铝镓氮层形成p-n结。4.一种能发射可见光谱的兰光部分的双异质结构发光二极管，包括衬底；在所述衬底上的缓冲层；及在所述缓冲层上的双异质结构，所述双异质结构包括n型铝镓氮层；在所述n型铝镓氮层上的补偿n型氮化镓有源层；及在所述氮化镓层上的p型铝镓氮层，所述p型铝镓氮层和所述n型有源层形成p-n结。5.如权利要求4的双异质结构发光二极管，还包括与所述衬底和所述p型铝镓氮层各自的欧姆接触。6.如权利要求4的双异质结构发光二极管，还包括在所述缓冲层上的n型氮化镓外延层，其中所述异质结构中的所述n型铝镓氮层在所述n型氮化镓外延层上。7.如权利要求4的双异质结构发光二极管，还包括在所述异质结构中的所述p型铝镓氮层上的p型氮化镓层；及与所述p型氮化镓层的欧姆接触。8.如权利要求4的双异质结构发光二极管，其特征为所述衬底包括导电碳化硅。9.如权利要求3或4的双异质结构，其特征为所述n型铝镓氮层有AlxGa1-xN的形式，其中1＞x＞0；所述p型铝镓氮层有AlxGa1-xN的形式，其中1＞x＞0。10.如权利要求9的双异质结构，其特征为x约为0.1。11.如权利要求4的双异质结构发光二极管，其特征为所述氮化镓层用锌和硅同时掺杂。12.如权利要求3或4的双异质结构发光二极管，其特征为所述n型氮化镓层有约1E18到4E18的净掺杂浓度；p型氮化镓层有约1E19的净掺杂浓度；n型铝镓氮层有约2E18的净掺杂浓度。13.如权利要求4的双异质结构发光二极管，其特征为所述缓冲...
【专利技术属性】
技术研发人员：约汉·亚当·埃德蒙德，康华双，
申请(专利权)人：克里公司，
类型：发明
国别省市：
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