【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于放大超高频信号的功放半导体器件，特别涉及具有梳状结构(comb blade)分别设置的多个漏极和栅极结构的半导体器件(此后称之为多条结构)。至今，放大几百MHZ(例如900MHZ)信号的功率晶体管已用在移动电话的发送级中。由于这种类型的移动电话是用电池供电的，所以就希望每次充电之后，移动电话能使用尽可能长的时间。而且为减小移动电话的外形和减轻移动电话的重量，已要求减小电池和散热板的尺寸。然而，电池尺寸的减小则不能增加电池的容量。因此，用在移动电话中的功率晶体管已要求减小流在功放电路中的电流，并且提高放大效率。在此情况下，为解决上述问题，例如，正如日本技术申请特许公开No.5180063中公开的，已提出带有由场效应管(FET)的多个基本单元构成的多条结构的功率晶体管，其中每个基本单元具有漏、栅和源极，而漏极和栅极以梳状结构交替配置。图9A到9D表示带有多条结构的常规功率晶体管的布局图。如图9A所示，每个都具有漏极61、源极62和栅极63的多个FET(基本单元)以给定间隔成一列设置以构成一个单元。每个基本单元的各个漏极61经与那些漏极61共连接...
【技术保护点】
一种半导体器件，多个晶体管单元平行设置在半导体衬底（１）的主表面上，其特征在于，所述每个晶体管单元包括： 成列设置的多个基本单元（２０），每个基本单元（２０）包含形成在所述半导体衬底的主表面上的栅极（８）、形成在栅极的两侧区域内的漏极（１ｇ）和源极（１ｅ）； 沿着成列设置的所述基本单元的一侧形成的且通常与梳状结构的所述基本单元的各个漏极相连的漏引线电极（１２）； 沿着成列设置的所述基本单元的另一侧形成的且通常与梳齿状结构的所述基本单元的各个栅极相连的栅引线电极（８）； 形成在所述漏引线电极的一端上的漏极焊盘（２１）；以及 在所述栅引线电极的一端...
【技术特征摘要】
JP 1997-2-28 046164/971.一种半导体器件，多个晶体管单元平行设置在半导体衬底(1)的主表面上，其特征在于，所述每个晶体管单元包括成列设置的多个基本单元(20)，每个基本单元(20)包含形成在所述半导体衬底的主表面上的栅极(8)、形成在栅极的两侧区域内的漏极(1g)和源极(1e)；沿着成列设置的所述基本单元的一侧形成的且通常与梳状结构的所述基本单元的各个漏极相连的漏引线电极(12)；沿着成列设置的所述基本单元的另一侧形成的且通常与梳齿状结构的所述基本单元的各个栅极相连的栅引线电极(8)；形成在所述漏引线电极的一端上的漏极焊盘(21)；以及在所述栅引线电极的一端上所述漏极焊盘相反的一侧形成的栅极焊盘(22)；其中所述相邻晶体管单元的任何一个漏引线电极和栅引线电极至少彼此靠近设置。2.如权利要求1的半导体器件，其中线性对称设置的所述晶体管单元通常用所述栅引线电极和所述栅极焊盘彼此耦合以形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：近松圣，渡边寿郎，井上寿明，小濑泰，
申请(专利权)人：NEC化合物半导体器件株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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