浅沟槽隔离方法技术

一种浅沟槽隔离方法，在半导体衬底的场区中形成初始浅沟槽，其深度小于最终浅沟槽。在半导体衬底上淀积绝缘膜，以使初始浅沟槽可以完全被填充。然后，暴露半导体衬底的有源区，在初始浅沟槽中留下厚度对应于最终浅沟槽深度的绝缘膜。然后，在暴露的有源区生长外延层。高宽比大的浅沟槽可以被绝缘膜完全填充，从而保证浅沟槽隔离工艺的可靠性。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的，特别是涉及这样一种，其中用绝缘膜填充高宽比大的浅沟槽而无需复杂的工艺，从而使一个部分与相邻部分隔离。通常，如众所周知，对于确定高集成度存储器件中的存储单元尺寸来说，绝缘体区的尺寸是绝对重要的因素。因此，与降低绝缘体区尺寸相关的技术得到极大的开发。已有技术一般采用硅的局部氧化(LOCOS)、选择性多晶硅氧化(SEPOX)、凹槽多晶硅隔层(RPSL)LOCOS等。由于LOCOS法具有某些优点所以使用最广泛，例如在使超大规模集成电路(VLSI)的有源部分绝缘方面，结构和工艺简单、集成度提高。但是，LOCOS隔离也存在某些问题。亦即，当生长场氧化膜时，在衬垫氧化膜和氮化物膜之间的界面，或者在硅衬底和衬垫氧化膜之间的界面产生“鸟嘴”，并渗透进有源区。于是，对于有源区和集成度而言，电路可靠性降低。因此，由于LOCOS隔离不能进一步应用于VLSI动态随机存取存储器(DRAM)的开发，所以已经提出了替换LOCOS隔离的新方法。在这些新提出的方法中就有浅沟槽隔离。在浅沟槽隔离工艺中，根据缩图设计规则浅沟槽宽度变窄。但是，由于为了保证在各部分之间绝缘的可靠性，沟槽深必须本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浅沟槽隔离方法，包括如下步骤：形成掩模所用的绝缘膜图形，用于在半导体衬底的有源区中形成初始浅沟槽；在所述半导体衬底的场区中形成所述初始浅沟槽；仅在所述初始浅沟槽中形成浅沟槽隔离所用的具有预定高度的绝缘膜，暴露所述半导体衬底的 所述有源区；和在所述暴露的有源区生长外延层，并形成最终浅沟槽。

【技术特征摘要】
KR 1998-3-25 10256/981．一种浅沟槽隔离方法，包括如下步骤形成掩模所用的绝缘膜图形，用于在半导体衬底的有源区中形成初始浅沟槽；在所述半导体衬底的场区中形成所述初始浅沟槽；仅在所述初始浅沟槽中形成浅沟槽隔离所用的具有预定高度的绝缘膜，暴露所述半导体衬底的所述有源区；和在所述暴露的有源区生长外延层，并形成最终浅沟槽。2．根据权利要求1的方法，其中，暴露所述有源区的所述步骤包括在所述半导体衬底上淀积浅沟槽隔离所用的所述绝缘膜，以便用浅沟槽隔离所用的所述绝缘膜填充所述初始浅沟槽；对浅沟槽隔离所用的所述绝缘膜和掩模所用的所述绝缘膜进行平面化；去除掩模所用的所述平面化的绝缘膜的所述图形，以便仅在所述初始浅沟槽中留下浅沟槽隔离所用的所述绝缘膜，并且暴露所述有源区。3．根据权利要求1或2的方法，其中，仅在所述初始浅沟槽中留下高度对应于所述最终浅沟槽深度的浅沟槽隔离所用的所述绝缘膜。...

【专利技术属性】
技术研发人员：讲佑铎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]