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一种浅沟槽隔离方法，在半导体衬底的场区中形成初始浅沟槽，其深度小于最终浅沟槽。在半导体衬底上淀积绝缘膜，以使初始浅沟槽可以完全被填充。然后，暴露半导体衬底的有源区，在初始浅沟槽中留下厚度对应于最终浅沟槽深度的绝缘膜。然后，在暴露的有源区生长...
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