半导体装置的制造方法和半导体装置制造方法及图纸

在背面具有散热用金属层的半导体装置，减少图形化工序，使激光熔断部位的形状良好且可防止第１和第２金属层间的剥离。第１，采用不用掩模对准的光刻胶的整个面的曝光工序可以减少图形化工序；第２，用低熔点的第１金属层和高熔点的第２金属层形成连接半导体装置间的金属层，并从第１金属层一侧开始顺次熔断第１金属层和第２金属层可以得到良好的外观形状；第３，采用防止第２金属层的电镀工序中的电镀供电层氧化，可以防止第２金属层的剥离。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在背面具有散热用金属(PHS金属片散热器)层的半导体装置，特别是涉及用激光熔断法进行器件分离的该半导体装置的制造方法。图5～7是在PCT申请序号JP/96/02758中所讲的具备有现有的散热用金属层的半导体装置的制造方法。在该制造方法中，在已预先形成了半导体器件的GaAs衬底1的表面上，用以光刻胶层2为掩模的刻蚀技术，形成第1隔离沟3(图5(a))，接着，用电镀等方法，在第1隔离沟3内形成第1金属层(图5(b))。其次，向GaAs衬底1的表面上涂石蜡5，并粘接到玻璃板或蓝宝石板等的支持基板6上，从背面进行研磨，直到GaAs衬底1的膜厚变成为约20～30μm为止(图5(c))。其次，用第1图形化工序，在GaAs衬底1的背面上形成光刻胶层14，以使得在第1隔离沟3的背面上具有开口部分(图5(d))，再以光刻胶14为掩模进行刻蚀，直到第1隔离沟内的金属层4的底面露出来为止，在GaAs衬底1的背面上形成第2隔离沟33(图6(e))。其次，在除去了光刻胶层14之后，在GaAs衬底1的背面整个面上形成电镀供电层7(图6(f))，再在第2隔离沟33内，以用第2图形化工序形成的光本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体装置的制造方法，在半导体衬底的表面上形成第１隔离沟和覆盖该第１隔离沟的第１金属层，从背面使该半导体衬底薄膜化之后，在该第１隔离沟的背面形成使该第１金属层露出的第２隔离沟和覆盖该第２隔离沟表面的第２金属层，从该第１金属层一侧，用激光熔断该第１金属层和该第２金属层，该制造方法的特征是：以在除去上述半导体衬底背面的上述第１隔离沟的背面的区域上形成的上述散热用金属层为掩模，刻蚀上述半导体衬底，直到使上述第１金属层露了出来为止，形成上述第２隔离沟，上述第１金属层和上述第２ 金属层对上述激光的反射率低于８０％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1998-3-19 070248/981.半导体装置的制造方法，在半导体衬底的表面上形成第1隔离沟和覆盖该第1隔离沟的第1金属层，从背面使该半导体衬底薄膜化之后，在该第1隔离沟的背面形成使该第1金属层露出的第2隔离沟和覆盖该第2隔离沟表面的第2金属层，从该第1金属层一侧，用激光熔断该第1金属层和该第2金属层，该制造方法的特征是以在除去上述半导体衬底背面的上述第1隔离沟的背面的区域上形成的上述散热用金属层为掩模，刻蚀上述半导体衬底，直到使上述第1金属层露了出来为止，形成上述第2隔离沟，上述第1金属层和上述第2金属层对上述激光的反射率低于80％。2.权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是上述第2金属层的熔点比上述第1金属层的熔点高。3.权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是上述的第2金属层，如下述那样地形成在形成覆盖上述第2隔离沟表面和上述散热金属层表面的第2金属层之后，剩下已填埋好该第2隔离沟的光刻胶不动，整个面曝光并除去已涂到上述第2金属层上边的整个面上使得把该第2隔离沟填埋起来的光刻胶，再以上述光刻胶为掩模，除去上述散热金属层表面上边的第2金属层，在上述第2隔离沟的表面上剩下并形成该第2金属层。4.权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是在形成第2金属层使得把上述第2隔离沟表面和上述散热金属层表面覆盖起来之后，顺次形成Ti薄膜和Au薄膜，以把该第2金属层覆盖起来。5.权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是在形成了上述第2隔离沟之后，连续形...

【专利技术属性】
技术研发人员：小崎克也，玉置政博，松冈敬，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]