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在背面具有散热用金属层的半导体装置，减少图形化工序，使激光熔断部位的形状良好且可防止第１和第２金属层间的剥离。第１，采用不用掩模对准的光刻胶的整个面的曝光工序可以减少图形化工序；第２，用低熔点的第１金属层和高熔点的第２金属层形成连接半导体装...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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