半导体衬底及太阳电池的制造方法技术

半导体衬底制造方法，包括在适当控制以便消除缺陷的温度在衬底上液相生长第一半导体层的工序，和在更高温度在第一半导体层上液相生长第二半导体层的工序。太阳电池的制造方法包括对液相生长法制造的半导体衬底的第一和第二层的表面进行阳极氧化的工序。液相生长设备包括熔料存储装置，存储熔料温度改变装置，使含氧衬底与熔料接触的装置，熔料温度可抑制衬底表面上生长的半导体层中所含的堆垛层错。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于在含氧衬底上生长半导体层的液相生长方法和液相生长设备，并且涉及太阳电池。近年来，太阳电池广泛地应用于驱动各种电子装置和设备的独立电源，而且还应用于与市电系统相关的电源。通常，采用砷化硅和镓作为构成太阳电池的半导体。为了获得高的光电转换效率(光能量转换成为电能量的效率)，优选其单晶或多晶。近来公认的还有使用外延硅衬底对制备双极LSI和CMOS-LSI是极为有利的。首要的是，在外延状态下能够容易地对体部分和外延层(有源层)中的杂质浓度进行独立控制。可以容易地相互关闭双极LSI的各个晶体管，通过利用这种特性可以防止各个晶体管之间的电干扰。还可以防止CMOS-LSI的闭锁现象。而且，由于外延衬底几乎没有类生长缺陷，在通过丘克拉斯基工艺生长的通常所用硅衬底中有时会观察到这种缺陷，所以在CMOS-LSI的情况能够制备具有介电强度得以提高的氧化膜和高可靠性的器件。而且，对于采用含高浓度硼(B)衬底的外延衬底，由于通过吸杂处理可以显著有效地进行重金属杂质的去除，所以已知采用外延衬底制备器件通常具有优异的性能特性。此外，在应用于太阳电池和外延衬底的情况，常常需要厚度为10μm-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体衬底的制造方法，包括以下工序： 在低于７５０℃的温度通过液相生长在硅衬底上生长第一硅层；和 在不低于７５０℃的温度通过液相生长在第一硅层上生长第二硅层。

【技术特征摘要】
JP 1999-9-22 269186/1999;JP 2000-9-12 276792/20001．一种半导体衬底的制造方法，包括以下工序在低于750℃的温度通过液相生长在硅衬底上生长第一硅层；和在不低于750℃的温度通过液相生长在第一硅层上生长第二硅层。2．根据权利要求1的方法，其中，硅衬底是Cz硅晶片。3．根据权利要求1的方法，其中，在不低于500℃的温度进行第一硅层的生长。4．采用权利要求1的方法制造的太阳电池，该方法包括对权利要求1的半导体衬底的第一和第二硅层的表面进行阳极氧化的工序。5．一种在含氧衬底上生长半导体层的液相生长方法，包括通过使衬底与熔料接触从而生长第一半导体层，所述熔料温度可使衬底表面上因氧产生的缺陷被抑制在1000／cm2以下。6．根据权利要求5的液相生长方法，其中，在第一半导体层生长到不会因氧而在第一半导体层表面上产生缺陷的厚度之后，提高熔料温度，再生长第二半导体层。7．根据权利要求6的液相生长方法，其中，第一半导体层的厚度是0．01μm以上。8．根据权利要求6或7的液相生长方法，其中，第一半导体层的导电类型与第二半导体层相同，并且掺杂剂浓度大于第二半导体层。9．根据权利要求5的液相生长方法，其中，当衬底材料采用硅时，控制温度低于750℃。10．根据权利要求5的液相生长方法，其中，通过使第一半导体层生长到不会因氧而在第一半导体层表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川克己，西田彰志，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]