【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及由非单晶物质构成的电绝缘层，该绝缘层用等离子CVD体(化学汽相淀积)法或溅射法淀积在象太阳能电池基片那样的基片上。目前，太阳能电池产品所用的基片，是包敷一层透明导电薄膜如ITO/玻璃，或SnO2/玻璃的透光式板;用不锈钢、铁、铝、镍、黄铜、铜、锌或它们的合金制成的金属板;用其它金属处理过的金属板;和类似物。当用象金属板这样的导电板作太阳能电池的基片时，由于许多电池图形形成在一张基片上并且相互串连，就要求基片与底板上的太阳能电池的电极是电绝缘的。为此，要在基片上形成绝缘层。形成所说的绝缘层的绝缘材料必须耐热，因为基片在太阳能电池的制备工艺中要经受温度为20℃到350℃的热处理。但是，通常用耐热的有机聚合物如聚酰亚胺树脂用旋转涂敷或浸渍的方法涂到基片上，经过热处理使其硬化和去气。通常，要制造太阳能电池，要有较高的半导体层形成温度，得到的太阳能电池要有较高的质量。然而，当用有聚酰亚胺树脂绝缘薄膜的基片制造太阳能电池时，半导体层的形成温度只能升到250度，这样的温度要获得高质量的太阳能电池是不理想的。此外，热处理中绝缘层会缩合放出H2O或释出杂质，这就使太阳能...
【技术保护点】
由非单晶物质组成的电绝缘薄层采用等离子体ＣＶＤ法或溅射法淀积在基片上，其含碳量按原子算不少于１０％。
【技术特征摘要】
书 1 倒2 ……至少造出的一 ……至少选择的一种，…… 种说明书 3 倒9 。假定厚度超过 假定厚度不超过0.5…… 0.5……权利要求1.由非单晶物质组成的电绝缘薄层采用等离子体CVD法或溅射法淀积在基片上，其含碳量按原子算不少于10%。2.权项要求1的电绝缘薄层，薄层中的碳含量按原子算不少于30%。3.权利要求1的电绝缘薄层，薄层的介质击穿电压不低于50伏/微米。...
【专利技术属性】
技术研发人员：西村国夫，中山威久，津下和永，太和田目久，
申请(专利权)人：钟渊化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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