衬底内的电连接制造技术

本发明专利技术涉及一种在导电或半导电衬底第一（顶部）和第二（底部）表面之间形成电连接线的方法。它包括在第一表面内形成沟槽，并建立与该沟槽界定的衬底部分完全分离的绝缘包围区。本发明专利技术还涉及可用作制造微电子和／或微机械器件初始衬底的产品，包括半导体或导电材料的平衬底，并具有第一和第二表面及至少一个贯穿该衬底的导电元件。此导电元件被有限的绝缘材料层与平衬底周围的材料隔开，且包含和衬底相同的材料，即它是由晶片材料制成的。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总的说与半导体
有关，具体而言，是关于制造产品的一种方法，这种产品可用作制造许多类半导体器件的初始衬底。本专利技术还涉及到这种产品。
技术介绍
在半导体工业(广义而言包括微电子学、微型光学和微机械)的许多应用中，往往需要在制造半导体器件(如传感器、微镜阵列等)的半导体晶片(如硅晶片)的两面上制作元件。在以前的封装和互联这类器件的技术中普遍使用丝焊方法。但是，丝焊法不太经济，而且对于需要许多互联线的器件(如阵列器件)，根本就不可能把这些线固定。因此，在过去十年中广泛采用电子元件的倒装芯片安装法而不需要丝焊，以简化尾端封装/互联过程，改善质量并降低成本。不过，倒装芯片焊接连接器件时“前面”是朝下的。而这对于MEMS(MEMS＝微机电系统)器件(如传感器和微镜)而言在大多数情况下是不可能的，这时要求前面朝上。这方面的其它技术是以在贯穿晶片的孔内提供金属化部分为基础，以在两个表面之间建立电接触。各种材料(即金属和晶片半导体材料)的这种混合将在可用温度和化学环境方面对元件制造中可以使用的后续过程提出限制。US-6,002,177中对一种上述这类方法作了描述。Vieux-Ro本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在导电或半导电晶片的第一（１４）（顶部）表面和第二（１６）（底部）表面之间制造绝缘的电连接线的方法，包括：　　　　在第一表面内形成沟槽；　　　　建立绝缘包围区，它将由沟槽界定的该晶片一部分完全与周围的晶片材料分开，而同时将该分离部分的顶部和底部表面暴露在外。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】SE 2003-3-21 0300784-61.一种在导电或半导电晶片的第一(14)(顶部)表面和第二(16)(底部)表面之间制造绝缘的电连接线的方法，包括在第一表面内形成沟槽；建立绝缘包围区，它将由沟槽界定的该晶片一部分完全与周围的晶片材料分开，而同时将该分离部分的顶部和底部表面暴露在外。2.如权利要求1所述的方法，其中沟槽是由闭合环形式的图形界定的，该环包围晶片的一部分但不穿过晶片；且其中的绝缘包围区是通过减薄底表面而暴露沟槽中的绝缘材料建立的。3.如权利要求2所述的方法，其中减薄是在所述表面上有选择地进行的，以在该表面内产生至少一个凹陷，从而至少一个凹陷使电连接线显示出来。4.如权利要求1所述的方法，其中沟槽是由呈具有起点和终点的线形式并穿过衬底的图形界定的；且绝缘包围区是通过形成第二沟槽并接着用绝缘材料填充第二沟槽而建立的，该第二沟槽与第一沟槽互补并穿过晶片以界定闭合环形式的图形。5.如权利要求1所述的方法，其中沟槽是由闭合环形式的图形界定的，该环包围晶片的一部分但不穿过晶片；且其中绝缘包围区是通过从底面形成与第一沟槽匹配的第二沟槽并接着用绝缘材料填充第二沟槽而建立的。6.如上述任意一项权利要求所述的方法，其中各沟槽是通过刻蚀过程形成的。7.如上述任意一项权利要求所述的方法，其中各沟槽是通过激光加工过程形成的。8.如上述任意一条权利要求所述的方法，其中各沟槽是通过放电加工过程形成的。9.如上述任意一条权利要求所述的方法，其中绝缘材料被引入沟槽内。10.如权利要求9所述的方法，其中各沟槽至少被绝缘材料部分填充。11.一种在晶片第一和第二表面之间制作绝缘电连线的方法，包括提供适当的导电或半导电材料的晶片；在该晶片内从至少一个表面刻蚀至少一个沟槽，该沟槽完全包围晶片的一部分；用绝缘材料填充该沟槽，从而形成穿过晶片的绝缘电连接线。12.一种在晶片第一和第二表面之间制作绝缘电连线的方法，包括提供适当导电或半导电材料的晶片；从第一表面刻蚀至少一个沟槽，该沟槽完全包围晶片的一部分；用绝缘材料填充该沟槽；以及从第二表面减薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：E凯尔维斯滕，T埃贝福斯，N斯维丁，P朗斯滕，T胡陶亚，
申请(专利权)人：西雷克斯微系统股份有限公司，
类型：发明
国别省市：SE[瑞典]