【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
使用等离子体增强化学气相沉积技术，使硅烷SiH4、磷烷PH3、乙硼烷B2H6、甲烷CH4气体分解，在加热的衬底上沉积本征及掺杂的氢化非晶/微晶硅薄膜制作薄膜太阳电池是目前比较通行的硅薄膜太阳电池制造技术。与传统玻璃衬底薄膜太阳电池相比，基于有机柔性衬底的薄膜太阳电池具有质轻，可折叠，不易破碎，便于运输等优势，尤其是其所具有的高质量比功率是玻璃衬底无法比拟的，具有良好的应用前景。有机柔性薄膜衬底具有质软，可卷曲，有弹性等特点，为实现在柔性衬底上的薄膜沉积和器件制造，需要衬底具有相当好的清洁程度。有机柔性衬底不同于玻璃、硅片等硬质衬底，在清洗过程中难于展平又容易被损伤。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种，实现对有机柔性衬底的清洗，使之达到半导体器件制造的清洁标准而不对其造成损伤。本专利技术是清洗用于半导体器件制造的柔性衬底的一种有效方法。本专利技术包括褪火、支撑拉紧绷平、蹭试、加热超声清洗、真空烘干五个步骤，使衬底达到半导体器件制造要求。本专利技术是经过下述的步骤1)按尺寸将柔性衬底薄膜裁剪，于200-230℃褪火1-3小时，以消除其内在应力；2)使用支撑装置将柔性衬底薄膜支撑拉紧绷平；3)用电子清洗剂蹭试薄膜衬底表面，以清除尘埃及颗粒污物，避免对衬底造成宏观划痕损伤4)加热水温至50-80℃，使用中性洗涤剂超声波清洗衬底30-60分钟，以去除油污及其它水溶性杂质，用去离子水冲洗数次，氮气吹干；5)120-140℃真空条件下烘干水汽，备用。本专利技术使用的膜支撑装置由框形底座，凹槽，框形压板，螺丝和不锈钢柱组成。框形底座...
【技术保护点】
一种柔性半导体器件的衬底清洗方法，其特征在于它包括褪火、支撑拉紧绷平、蹭试、加热超声清洗、真空烘干五个步骤，使衬底达到半导体器件制造要求。
【技术特征摘要】
1.一种柔性半导体器件的衬底清洗方法，其特征在于它包括褪火、支撑拉紧绷平、蹭试、加热超声清洗、真空烘干五个步骤，使衬底达到半导体器件制造要求。2.一种柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法，其特征在于它是经过下述的步骤1)按尺寸将柔性衬底薄膜裁剪，于200-230℃褪火1-3小时，以消除其内在应力；2)使用专用支撑装置将其支撑拉紧绷平；3)用电子清洗剂蹭试薄膜衬底表面，以清除尘埃及颗粒污物，避免对衬底造成宏观划痕损伤；4)加热水温至50-80℃，使用中性洗涤剂超声波清洗衬底30-60分钟，以去除油污及其它水溶性杂质，用去离子水冲洗数次，氮气吹干；5)120-140℃真空条件下烘干水气，备用。3.按权利要求2所述的柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法，其特征在于步骤1)于220℃褪火2小时。4.按权利要求2所述的柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法，其特征在于步骤4)加热水温至70℃，使用中...
【专利技术属性】
技术研发人员：张德贤，冯凯，齐龙茵，赵飞，蔡宏琨，张晓，李胜林，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]
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