【技术实现步骤摘要】
专利技术的领域本专利技术涉及一种最小化和限制半导体晶片上及例如磁盘驱动用的磁头和平板显示器等可利用半导体加工技术构成的任何其它产品上结构的临界尺寸增大的方法。
技术介绍
半导体晶片上或利用半导体加工技术的任何产品上结构的临界尺寸(CD)是指所说结构的宽度。该间距一般限定为临界尺寸加上到下一结构的距离。就利用腐蚀技术的半导体工艺方法而言,可以在要腐蚀材料的上部形成例如光刻胶层等石版印刷掩蔽层。光刻胶层限定希望的结构,掩蔽不腐蚀的底层部分,暴露要腐蚀部分。腐蚀工艺期间,来自被腐蚀层部分的材料及腐蚀气体、石版掩模和要腐蚀层材料的各种组合形成的化合物会敷在希望的结构和石版掩模侧上,因而使结构的临界尺寸增大到超过石版印刷掩模下限定的临界尺寸。这种临界尺寸的增大会不利地减小结构间的空间,并因而会负面影响各结构的功能。正如所属领域已知的,石版印刷掩模例如可以包括(ⅰ)例如光刻胶掩模、e束抗蚀掩模、x射线抗蚀掩模和回旋粒子加速抗蚀掩模等软掩模,和(ⅱ)例如金属和如二氧化硅(SiO2)等金属氧化物等硬掩模。然而,已发现这些软和硬掩模对控制临界尺寸的增大不是特别有利。因此,需要提供一种半导体加工技术,能够使希望的结构被适当地腐蚀,同时腐蚀期间不会引起结构临界尺寸增大。专利技术概述本专利技术提供一种技术,能够在腐蚀工艺期间控制或使结构临界尺寸的增大最小化的同时腐蚀结构。该方法可用于制造半导体晶片,从而制造例如芯片产品、磁盘驱动用的磁头和平板显示器。限制临界尺寸增大的方法包括将带有由淀积于要腐蚀层上的活性金属构成的硬掩模的晶片设置于反应器中,并在反应器中腐蚀晶片。设置步骤还包括设置 ...
【技术保护点】
一种限制设于基片上的结构的临界尺寸增大的方法,包括以下步骤: 选择带有由淀积于要腐蚀层上的活性金属构成的硬掩模的基片;及 在反应器中处理所说层。
【技术特征摘要】
US 1998-1-20 09/009,3691.一种限制设于基片上的结构的临界尺寸增大的方法,包括以下步骤选择带有由淀积于要腐蚀层上的活性金属构成的硬掩模的基片;及在反应器中处理所说层。2.根据权利要求1的方法,其中所说选择步骤包括选择具有由钛、铝、和钽之一构成的硬掩模的基片。3.根据权利要求1的方法,包括以下步骤在所说腐蚀步骤前或期间,在反应器内将硬掩模暴露于氧化气流。4.根据权利要求1的方法,包括以下步骤在所说腐蚀步骤前或期间,在反应器内将硬掩模暴露于由氧、氮、氟、硼和碳气、和氧、氮、氟、硼和碳气的任意组合之一构成的氧化气流。5.根据权利要求1的方法,其中所说选择步骤包括将带有覆盖所说硬掩模的石版印刷层的基片选入所说反应器。6.根据权利要求1的方法,其中所说选择步骤包括选择具有容易氧化的硬掩模的基片。7.根据权利要求1的方法,其中所说选择步骤包括选择带有由具有低溅射率的金属构成的硬掩的基片。8.根据权利要求1的方法,包括以下步骤在所说腐蚀步骤前或期间,在反应器内将硬掩模暴露于氧化气流,以便氧化所说硬掩模,从而降低硬掩模的腐蚀率。9.根据权利要求1的方法,其中所说选择步骤包括选择其上(1)已形成有或(2)可以形成有氧化物、氮化物、氟化物、硼化物和碳化物中的至少一种的硬掩模。10.根据权利要求1的方法,包括以下步骤向反应器提供能量,以提高硬掩模的氧化速率,从而降低硬掩模的侵蚀率。11.根据权利要求10的方法,其中提供能量的所说步骤使反应器中的基片被从80℃加热到300℃。12.根据权利要求1的方法,包括以下步骤在所说处理步骤之前或期间,氧化所说硬掩模。13.一种限制设于基片上的结构的临界尺寸增大的方法,包括以下步骤选择带有淀积于要腐蚀层上的硬掩模的基片,其中所说硬掩模相对于腐蚀工艺的腐蚀化学剂具有低溅射率和低反应性;及利用所说腐蚀化学剂在反应器中处理所说层。14.根据权利要求13的方法,其中所说选择步骤包括选择由活性金属构成硬掩模的基片。15.根据权利要求13的方法,其中所说选择步骤包括选择具有包括钛、铝、钽、钨、钴和钼中至少一种的硬掩模的基片。16.根据权利要求13的方法,包括以下步骤在所说处理步骤前或期间,在反应器内将所说硬掩模暴露于氧化气流。17.根据权利要求13的方法,包括以下步骤将所说硬掩模暴露于由氧、氮、氟、硼和碳、及氧、氮、氢、硼和碳的任意组合之一构成的气流。18.根据权利要求13的方法,其中所说选择步骤包括选择带有覆盖所说硬掩模的石版印刷层的基片。19.根据权利要求13的方法,其中所说选择步骤包括选择具有容易氧化的硬掩模的基片。20.根据权利要求13的方法,包括以下步骤在所说腐蚀步骤前或期间,在反应器内将硬掩模暴露于氧化气流,以便氧化所说硬掩模的表面,从而降低硬掩模的腐蚀率。21.根据权利要求13的方法,其中所说选择步骤包括设置(1)已被或(2)可以被氧化的硬掩模。22.根据权利要求13的方法,包括以下步骤向反应器提供能量,以提高硬掩模的氧化速率,从而降低硬掩模的侵蚀率。23.根据权利要求22的方法,其中提供能量的所说步骤使反应器中的基片被从80℃加热到300℃。24.根据权利要求13的方法,包括以下步骤在所说处理步骤之前或期间,氧化所说硬掩模。25.一种限制设于基片上的结构的临界尺寸增大的方法,包括以下步骤选择带有淀积于要腐蚀层上的硬掩模的基片放入反应器,所说硬掩模至少包括钛、钛化合物、铝、铝化合物、钽、钽化合物、钨、钨化合物、钴、钴化合物、钼和钼化合物中的一种;及在反应器中处理所说层。26.一种限...
【专利技术属性】
技术研发人员:斯蒂芬P德奥尼拉斯,莱斯利G杰德,艾尔弗尔德科弗,
申请(专利权)人:泰格尔公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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