等离子腐蚀反应器制造技术

一种等离子腐蚀反应器，包括： 反应室； 第一电极； 第二电极； 所说第一电极是一个电浮置或接地的电极； 与所说第二电极相连的第一电源，其产生第一频率的功率；及 与所说第二电极相连的第二电源，其产生第二频率的功率。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及改进的等离子腐蚀反应设备及方法。
技术介绍
一组新的新出现的膜(emerging film)正有益地用于如高密度DRAM等高密度半导体芯片的开发中。这些材料通过使存储器件的各结构的尺寸减小提供较高容量的器件。因此，需要提高选择性和外形控制。过去，人们使用作为慢物理处理的离子铣在半导体晶片上建立所要求外形。这种离子铣的缺点是在半导体晶片上形成的外形对离子铣束的角度敏感，所以不得不精确地定位离子铣束，以获得所要求的外形。然而，在实现这些外形时，出现了从所要求的外形的边缘立起的大遮盖物或肋条。因此，离子铣不适用于新出现的膜。用于新出现的膜的等离子腐蚀工艺较快，但这些工艺在某种程度上导致了不能接受的结构外形。因此，需要提供能够快速精确地处理用于最新半导体产品的新出现的膜的工艺。专利技术概述本专利技术针对一种等离子腐蚀反应器，它能够成功地处理用于高密度半导体器件的新出现的膜。本专利技术提供的等离子反应器具有反应室和接地的上电极，与高频电源和低频电源连接的下电极，定位于上下电极之间的外围或环形电极。所说的外围或环形电极的电位能够浮置。另外，环形电极可以接地。这种反应器可成功地本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬·P·德奥尼拉斯，艾尔弗德·科弗，罗伯特·C·韦尔，
申请(专利权)人：泰格尔公司，
类型：发明
国别省市：