一种等离子腐蚀反应器，包括： 反应室； 第一电极； 第二电极； 所说第一电极是一个电浮置或接地的电极； 与所说第二电极相连的第一电源，其产生第一频率的功率；及 与所说第二电极相连的第二电源，其产生第二...

一种等离子体腐蚀反应器，包括：反应室；第一电极；第二电极；与所述第二电极相连的第一电源，其产生第一频率的功率；与所述第二电极相连的第二电源，其产生第二频率的功率；所述第二电极关联于适于固定要处理的晶片的夹盘；所述第一电源产生低频功率；所...

一种腐蚀晶片的方法，包括以下步骤：将晶片放置于与第一电极关联的反应室内；从第一电源给所述第一电极在约１２００伏电压施加第一功率；从第二电源给所述第一电极在约３００伏电压施加第二功率；与所述施加步骤关联地，向所述反应室内引入处理气；与所述...

一种等离子腐蚀反应器（２０）包括反应室（２２），反应室具有接地上电极（２４）、固定到高频电源（３０）和低频电源（３２）的下电极（２８）、位于上下电极之间且可以具有浮置电位的外围电极（２６）。稀土磁体（４６，４７）用于建立磁场，用于限制反...

本发明总地涉及半导体制造并具体涉及制造磁性隧道结器件。具体地，本发明涉及利用隧道结中的电介质层作为蚀刻停止层以消除来自于图案化工艺的电短路的方法。

一半导体处理系统，包括： ａ．一中央真空室； ｂ．一可锁定的真空进样室，具有至少一个可关闭的开口，并连接到所述的中央真空室； ｃ．一腐蚀模块，包括一反应室及至少一个可关闭的开口，并连接到所述的中央真空室； ｄ．一...

一种腐蚀晶片的方法，包括步骤： 物理地腐蚀然后化学地腐蚀晶片，以便得到带有至少基本上垂直的侧壁外形的晶片结构。

一种等离子体腐蚀器，包括： 反应室； 第一电极； 第二电极； 其中，在形成于第一电极和第二电极之间的电场中，用反应气体产生等离子体； 气体物质的固体源位于所述反应室内。

一种处理半导体晶片的等离子体反应器，包括： 一个等离子体反应容器， 一个用来固定被处理的晶片的夹盘；和一个通过环形连续间隙将气体导入所述的容器的装置。

一种使半导体晶片上的器件的临界尺寸生长最小化的方法，包括，在反应器（２０）中进行蚀刻处理，和通过控制与晶片（２６）的背面相接触的气体的压强和／或在例如与晶片（２６）相联系的夹盘（４６０）或电极（２８）中安装热源（５６）以便加热晶片（２６...

一种限制设于半导体基片（５６）上的结构的临界尺寸增大的方法，包括设置带有由活性金属或氧化的活性金属构成的硬掩模（５２）的基片。该方法还包括使用相对于工艺的腐蚀化学剂具有低溅射率和低反应率的硬掩模。

一种在半导体处理工序中减少或消除电弧，即，晶片（２６）表面介电击穿的方法与装置，包括控制晶片（２６）两面的电压，以使电弧或介电击穿不会发生。利用本发明中的静电电极（５０）并控制特定的吸附电压，晶片两面电压保持低于阈值电压，因此，电弧或介...

本发明涉及一等离子体体反应器设备（１），其改善了蚀刻均匀性并提高了刻蚀的产量。通过采用新型的气体输送机构（９ａ）和绝热的晶片吸盘（４２）实现了更好的蚀刻均匀性。真空绝热的吸盘（４２）还使得能量消耗低、及产量高。

一种用于改善互连结构中不渗透膜在器件例如多孔低－ｋ介电膜上的粘合的方法。该方法在沉积不渗透膜之前，提供了一种原位退火步骤，以释放多孔低－ｋ介电膜中的挥发性捕集的或吸附的分子，例如水、醇、ＨＣｌ、ＨＦ蒸汽。该方法还提供了在沉积多孔低介电膜...

一种反应器（２０），它包括一块防止从晶片（２６）上，沿着视线路线溅射出来的材料，飞向和沉积在一个电极（３２），或将该电极（３２）与该反应器（２０）的反应腔连接起来的窗口（３８）上的屏蔽板（５０）。

一种用于增大在半导体处理反应器（２０）之中各次清洗之间晶片处理量的方法和装置，包含：一种机构（５８），用于以替换部件更换电极（３２）、扩散头（４２）以及各相关的腔室壁板（２２）和绝缘层和／或其他各聚集表面或元件中的任一个或任何组合而不必...

提供了一种ＣＶＤ和ＡＬＤ的混合沉积法，其称为纳米层沉积（“ＮＬＤ”）。该ＮＬＤ法是一种循环沉积法，包括第一步（４０）：引入第一多个前体，用非自限制的沉积方法沉积薄膜，然后第二步（４１）：排空第一组前体和第三步（４２）：引入第二多个前体以...