夹盘设备制造技术

本发明专利技术涉及一等离子体体反应器设备（１），其改善了蚀刻均匀性并提高了刻蚀的产量。通过采用新型的气体输送机构（９ａ）和绝热的晶片吸盘（４２）实现了更好的蚀刻均匀性。真空绝热的吸盘（４２）还使得能量消耗低、及产量高。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种改进了的等离子体反应器，尤其涉及一种能提高蚀刻的均匀性和产量的反应器。
技术介绍
等离子体蚀刻已成为制造集成电路里的半导体器件的重要的工艺过程。任何制造半导体器件的等离子体工艺过程的关键要求是所造出的器件在整个晶片上的电特性必须均匀和一致。换句话说，等离子体蚀刻过程必须能使器件在厚度、大小和横截面这些结构方面具有高的均匀性。但是，当晶片的直径增加，器件的尺寸减小时，要获得这样的均匀性的困难也就随之增加了。等离子体蚀刻反应器必须在提高均匀性和产量的同时，还要降低生产成本。整个晶片的器件结构的均匀性取决这样一些因素，如，气体导入容器的方式和整个晶片的温度梯度。为了使整个晶片均匀蚀刻，腐蚀气体必须以均匀方式导入等离子体反应器中。传统的作法是用许多小的导入孔将腐蚀气体导入反应容器。这种做法，不仅导入小孔的机加工很困难，而且在晶片上还是产生了均匀性问题。由于导入孔是在固定位置将气体导入到反应容器中去的，在小孔附近的气体密度最高，因此，气体不是匀衡地导入的，整个晶片蚀刻的均匀性随着导孔的数量和尺寸发生明显的变化。除了气体输送系统，晶片上的温度梯度也会影响蚀刻的均匀性。一些像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于等离子体反应器的夹盘设备，所述等离子体反应器具有反应容器，所述夹盘设备包括：具有前部和后部的夹盘，其中所述夹盘的前部适于支撑将被处理的晶片；适于加热所述夹盘的装置；以及适于在所述夹盘周围产生真空环境并适于从所 述容器上分离开以便使所述夹盘绝热的装置，其中产生真空环境的装置包括与所述夹盘后部共存的后部容器，所述真空产生装置包括抽空所述后部容器的真空发生器。

【技术特征摘要】
US 1995-5-25 08/450,3691.一种用于等离子体反应器的夹盘设备，所述等离子体反应器具有反应容器，所述夹盘设备包括具有前部和后部的夹盘，其中所述夹盘的前部适于支撑将被处理的晶片；适于加热所述夹盘的装置；以及适于在所述夹盘周围产生真空环境并适于从所述容器上分离开以便使所述夹盘绝热的装置，其中产生真空环境的装置包括与所述夹盘后部共存的后部容器，所述真空产生装置包括抽空所述后部容器的真空发生器。2.一种用于等离子体反应器的夹盘设备，所述等离子体反应器具有反应容器，所述夹盘设备包括夹盘，具有适于支撑将被处理的晶片的前部，并具有后部；加热所述夹盘的加热器；以及与所述容器分离开的外罩，用于产生与所述夹盘相邻的真空环境以便使所述夹盘绝热，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗拉蒂米尔E莱博维克，马丁L朱克，
申请(专利权)人：泰格尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]