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本发明涉及一等离子体体反应器设备（１），其改善了蚀刻均匀性并提高了刻蚀的产量。通过采用新型的气体输送机构（９ａ）和绝热的晶片吸盘（４２）实现了更好的蚀刻均匀性。真空绝热的吸盘（４２）还使得能量消耗低、及产量高。...
该专利属于泰格尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰格尔公司授权不得商用。

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