【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种使半导体晶片上的器件(feature)的临界尺寸生长(growth)最小化的方法。
技术介绍
半导体晶片上的器件的临界尺寸(CD)是指这个器件的宽度。间距通常定义为临界尺寸加上到邻近器件的距离。对于利用蚀刻技术的半导体处理工艺,光刻胶层沉积在待蚀刻材料的顶部。光刻胶层确定所需的器件,掩模该层不被蚀刻的这一部分,而让待蚀刻的那一部分暴露出来。在蚀刻处理期间,来自该层被蚀刻的那一部分的材料,以及由蚀刻剂气体和待蚀刻的该层材料的组合所形成的混合物,往往会覆盖在所需器件的侧面,从而增加了该器件的临界尺寸,使其超出正好在光刻胶掩模层之下所确定的临界尺寸。临界尺寸的这种生长不利地减小了器件之间的距离和对器件的功能产生负面影响。因此,需要提供一种在蚀刻处理期间允许预定器件得到适当地蚀刻,而不会使该器件的临界尺寸生长的半导体处理工艺。专利技术概述本专利技术提供一种在蚀刻处理期间,在使器件的临界尺寸的生长最小化的同时便于器件蚀刻的工艺。本专利技术的方法确定在蚀刻处理期间晶片的温度与器件的临界尺寸生长之间的直接相关性。尤其是,已经证明,器件的临界尺寸的生长可以通过在半导体处理期间升高晶片的温度达到最小化。因此,本专利技术的一个目的是控制和最小化半导体晶片上器件的临界尺寸的生长。本专利技术的另一个目的是通过将晶片的温度升高到阻止临界尺寸生长的程度来最小化临界尺寸的生长。本专利技术的另一个目的是在蚀刻处理期间,通过控制晶片的温度来控制器件的临界尺寸。本专利技术的另一个目的是通过降低从夹住晶片的夹盘(chunk)传递走的热量,以便升高晶片的温度来最小化临界尺寸的 ...
【技术保护点】
一种在蚀刻处理期间使位于晶片上的器件的临界尺寸生长最小化的方法,包括下列步骤:将晶片放置在蚀刻反应器中的夹盘上;蚀刻在蚀刻反应器中的晶片;和让晶片的温度爬升到大约130℃至大约300℃的范围,以便使位于晶片上的器件的临界尺寸生长 最小化。
【技术特征摘要】
US 1997-11-19 08/974,0891.一种在蚀刻处理期间使位于晶片上的器件的临界尺寸生长最小化的方法,包括下列步骤将晶片放置在蚀刻反应器中的夹盘上;蚀刻在蚀刻反应器中的晶片和让晶片的温度爬升到大约130℃至大约300℃的范围,以便使位于晶片上的器件的临界尺寸生长最小化。2.如权利要求1所述的方法,其中,“让…”步骤包括降低来自晶片的热量传递,以便增加晶片的温度。3.如权利要求1所述的方法,其中,“让…”步骤包括加热夹盘,以便增加晶片的温度。4.如权利要求1所述的方法,其中,“让…”步骤包括与蚀刻处理引起的夹盘加热无关地加热夹盘,以便加热晶片。5.如权利要求1所述的方法,其中,“让…”步骤包括与蚀刻处理无关地使用加热源加热夹盘,以便增加晶片的温度。6.如权利要求1所述的方法,其中,“让…”步骤包括调整所包含的主要只与晶片的背面相接触的气体的压强,以便增加晶片的温度。7.如权利要求1所述的方法,其中,“让…”步骤包括降低所包含的主要只与晶片的背面相接触的气体的压强,以便减少从晶片移走的热量和增加晶片的温度,从而使临界尺寸的生长最小化。8.如权利要求1所述的方法,其中,“让…”步骤包括利用与夹盘合并在一起的热源来加热晶片。9.如权利要求1所述的方法,其中,“让…”步骤包括在大约60秒至大约240秒的范围内让晶片的温度升高到大约130℃至大约300℃的范围。10.一种在蚀刻处理期间使位于晶片上的器件的临界尺寸生长最小化的方法,包括下列步骤将晶片放置在蚀刻反应器中的夹盘上;通过使气体与晶片的背面保持接触来控制晶片的温度;蚀刻在蚀刻反应器中的晶片;和通过降低与晶片背面相接触的气体的压强,让晶片的温度爬升,以便使位于晶片上的器件的临界尺寸生长最小化。11.如权利要求10所述的方法,其中,“让…”步骤包括通过降低气体的压强,让晶片的温度在大约60秒至大约240秒的范围内升高到大约130℃至大约300℃的范围。12.如权利要求1所述的方法,其中,“让…”步骤包括在蚀刻处理开始之前,降低气体的压强。13.如权利要求1所述的方法,其中,“让…”步骤包括让晶片的温度升高到大约130℃至大约300℃的范围。14.如权利要求10所述的方法,包括蚀刻晶片上的铂器件。15.如权利要求14所述的方法,包括利用氧气蚀刻晶片上的铂器件。16.如权利要求10所述的方法,包括利用氦气作为控制夹盘温度的气体。17.如权利要求14所述的方法,包括利用氦气作为控制夹盘温度的气体。18.如权利要求1所述的方法,包括蚀刻晶片上的铂器件。19.如权利要求18所述的方法,包括利用氯气蚀刻晶片上的铂器件。20.一种在蚀刻处理期间使位于晶片上的器件的临界尺寸生长最小化的方法,包括下列步骤将晶片放置在反应器中;控制关于晶片的热量传递以便让晶片的温度爬升,从而使位于晶片上的器件的临界尺寸生长最小化。21.如权利要求20所述的方法,其中所述“控制…”步骤通过控制与晶片的背面保持接触的气体的压强来控制晶片的温度。22.如权利要求20所述的方法,其中所述“控制…”步骤包括调整晶片背面的绝热程度。23.如权利要求6所述的方法,其中“调整…”步骤包括将气体的压强设置在大约0乇至大约10乇的范围内。24.如权利要求6所述的方法,其中“调整…”步骤包括将气体的压强设置在大约1乇上。25....
【专利技术属性】
技术研发人员:斯蒂芬P德奥尼拉斯,阿尔弗尔德科弗,莱斯利G杰德,库尔特A奥尔森,帕里托什拉乔拉,
申请(专利权)人:泰格尔公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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