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一种使半导体晶片上的器件的临界尺寸生长最小化的方法，包括，在反应器（２０）中进行蚀刻处理，和通过控制与晶片（２６）的背面相接触的气体的压强和／或在例如与晶片（２６）相联系的夹盘（４６０）或电极（２８）中安装热源（５６）以便加热晶片（２６），...
该专利属于泰格尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰格尔公司授权不得商用。

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