【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种改进了的等离子体反应器，尤其涉及一种能提高蚀刻的均匀性和产量的反应器。等离子体蚀刻已成为制造集成电路里的半导体器件的重要的工艺过程。任何制造半导体器件的等离子体工艺过程的关键要求是所造出的器件在整个晶片上的电特性必须均匀和一致。换句话说，等离子体蚀刻过程必须能使器件在厚度、大小和横截面这些结构方面具有高的均匀性。但是，当晶片的直径增加，器件的尺寸减小时，要获得这样的均匀性的困难也就随之增加了。等离子体蚀刻反应器必须在提高均匀性和产量的同时，还要降低生产成本。整个晶片的器件结构的均匀性取决这样一些因素，如，气体导入容器的方式和整个晶片的温度梯度。为了使整个晶片均匀蚀刻，腐蚀气体必须以均匀方式导入等离子体反应器中。传统的作法是用许多小的导入孔将腐蚀气体导入反应容器。这种做法，不仅导入小孔的机加工很困难，而且在晶片上还是产生了均匀性问题。由于导入孔是在固定位置将气体导入到反应容器中去的，在小孔附近的气体密度最高，因此，气体不是匀衡地导入的，整个晶片蚀刻的均匀性随着导孔的数量和尺寸发生明显的变化。除了气体输送系统，晶片上的温度梯度也会影响蚀刻的均匀性。一些像金属蚀刻的等离子体工艺过程要求在等离子体过程中加热晶片。为了保持整个晶片上温度的均匀性，等离子体蚀刻系统必须要降低热耗量或降低晶片处的热传导。一般来讲，在等离子体处理中，仅仅蚀刻反应器中的晶片夹盘的上表面处于真空，而夹盘的下表面是在大气压力下。晶片夹盘下表面在大气压下引起了在夹盘下部对流所产生的热损耗。在处理过程中，不仅由于对流的热损耗降低了整个晶片的均匀性，而且由于在蚀刻之前加热器需用...
【技术保护点】
1.一种处理半导体晶片的等离子体反应器，包括：
一个等离子体反应容器，
一个用来固定被处理的晶片的夹盘；和一个通过环形连续间隙将气体导
入所述的容器的装置。
【技术特征摘要】
1995.05.25 US 08/450,3691.一种处理半导体晶片的等离子体反应器，包括一个等离子体反应容器，一个用来固定被处理的晶片的夹盘；和一个通过环形连续间隙将气体导入所述的容器的装置。2.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中，所述间隙是可调的。3.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中，所述用来导入气体的装置由多个气体增压器组成，通过该增压器可保持适当的压差。4.一种处理半导体晶片的等离子体反应器，包括一个等离子体反应容器；一个用来固定被处理的晶片的夹盘；和一个通过环形连续间隙将气体导入所述容器的气体输送系统。5.如权利要求4所述的等离子体反应器，其中，所述的间隙是可调的。6.如权利要求4所述的装置，其中，所述的气体传导系统由多个气体增压器组成，通过该增压器可保持适当的压差。7.一种等离子反应器，包括一个等离子体反应容器；一个用来固定被处理的晶片的夹盘；用来加热所述夹盘的装置；和用来在所述夹盘周围产生真空的设备。8.一种等离子体反应器包括一个等离子体反应容器；一个用来固定被处理的晶片的夹盘；用来加热所述夹盘的装置；和一个用来包容夹盘周围的真空的外壳。9.一种用来处理半导体晶片的等离子体反应器，包括一个反应容器和一个用来将气体导入所述容器的环形空隙。10.如权利要求9所述的反应器，其中所述的反应容器有一个环形周边壁；所述的环形空隙紧贴在所述的环形周边壁上。11.如权利要求9所述的反应器，包括一种用来固定被处理的晶片的装置和固定在所述的装置上方的所述的环形间隙。12.如权利要求9所述的反应器，其中所述环形间隙结构是为了产生连续气层进入所述的容器。13.如权利要求9所述的反应器，包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：弗拉蒂米尔·E·莱博维克，马丁·L·朱克，
申请(专利权)人：泰格尔公司，
类型：发明
国别省市：
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