多孔膜形成用组合物、多孔膜制造法、多孔膜、层间绝缘膜及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供通过通常的半导体工艺中使用的方法，可以容易地形成任意控制的膜厚的薄膜，并且用于形成具有稳定性优异的中孔尺寸的通道结构的多孔膜的涂布液。具体地，本发明专利技术提供一种多孔膜形成用组合物，其包括含有将通式Ｒ↓［ｎ］Ｓｉ（ＯＲ’）↓［４－ｎ］表示的硅烷化合物的一种或一种以上水解和缩合而得到的聚合物，表面活性剂，和非质子极性溶剂。另外，本发明专利技术提供多孔膜的制造方法，其包括涂布该多孔膜形成用组合物的涂布工序；其后的干燥工序；和从得到的膜中除去表面活性剂的多孔化工序。本发明专利技术还提供使用该多孔膜形成用组合物得到的多孔膜。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可以形成介电特性、粘着性、涂膜均匀性、机械强度优异，吸湿性减低的多孔膜的膜形成用组合物，多孔膜的形成方法及形成的多孔膜，以及内部含有多孔膜的半导体装置。
技术介绍
在制作半导体集成电路时，随电路被更紧密地装配，作为金属互连间的寄生电容的互连间电容增加，引起互连延迟时间增加，从而阻碍了半导体电路性能的增强。互连延迟时间称为RC延迟，其与金属互连电阻与互连间的静态电容的积成比例。为减小该互连延迟时间，需要减小金属互连的电阻或减少互连间电容。通过减小互连金属的电阻及互连间电容，即使半导体装置是紧密装配也不会引起互连延迟，所以可以实现器件的缩小和高速化，可以减少电力消耗。为减小金属互连的电阻，最近在器件结构中采用了金属铜互连而不是以往使用的铝互连。但是，仅使用该结构在高性能化上具有限制，所以减少互连间电容对于进一步提高半导体的性能是当务之急。作为减小互连间电容的方法，考虑降低金属互连之间形成的层间绝缘膜的介电常数。作为这样的介电常数低的绝缘膜，考虑使用多孔膜代替以往使用的二氧化硅膜，特别是作为介电常数不高于2.0的材料，多孔膜可以是说是唯一实用的膜，并且提出了多种形成多孔膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成多孔膜的组合物，其特征在于，包括含有将以下通式（１）表示的化合物的一种或一种以上水解和缩合而得到的聚合物；表面活性剂和非质子极性溶剂，Ｒ↓［ｎ］Ｓｉ（ＯＲ’）↓［４－ｎ］（１）式中，Ｒ表示可以具有取代基的碳数 为１～８的直链或支链烷基或芳基，Ｒ有多个时各自可以相同或者不同，Ｒ’表示碳数为１～４的烷基，Ｒ’有多个时各自可以相同或者不同，ｎ为０～３的整数。

【技术特征摘要】
JP 2003-4-9 104774/20031.一种用于形成多孔膜的组合物，其特征在于，包括含有将以下通式(1)表示的化合物的一种或一种以上水解和缩合而得到的聚合物；表面活性剂和非质子极性溶剂，RnSi(OR’)4-n(1)式中，R表示可以具有取代基的碳数为1～8的直链或支链烷基或芳基，R有多个时各自可以相同或者不同，R’表示碳数为1～4的烷基，R’有多个时各自可以相同或者不同，n为0～3的整数。2.如权利要求1所述的用于形成多孔膜的组合物，其特征在于，所述的表面活性剂是通过溶解可以形成胶束的季铵盐。3.如权利要求1或2所述的用于形成多孔膜的组合物，其特征在于，所述的季铵盐为以下通式(2)表示的烷基三甲基铵盐R”N+(CH3)3X-(2)式中，R”表示碳数为8～20的直链或支链烷基，X表示可以形成阴离子的原子或官能团。4.如权利要求1～2的任一项所述的用于形成多孔膜的组合物，其特征在于，所述非质子极性溶剂的介电常数不低于20。5.如权利要求1～2的任一项所述的用于形成多孔膜的组合物，其特征在于，所述的非质子极性溶剂是从由乙腈、丙腈、异丁腈、N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、硝基苯和硝基甲烷组成的组中选择的一种或多种。6.一种多孔膜制造方法，其特征在于，包括涂布权利要求1～2的任一项所述的用于形成多孔膜的组合物的涂布工序；其后的干燥工序；和从得到的膜中除去所述的表面活性剂的多孔化工序。7.一种多孔膜，其特征在于，其是通过使用权利要求1～2的任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：八木桥不二夫，滨田吉隆，中川秀夫，笹子胜，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]