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本发明提供通过通常的半导体工艺中使用的方法，可以容易地形成任意控制的膜厚的薄膜，并且用于形成具有稳定性优异的中孔尺寸的通道结构的多孔膜的涂布液。具体地，本发明提供一种多孔膜形成用组合物，其包括含有将通式Ｒ↓［ｎ］Ｓｉ（ＯＲ’）↓［４－ｎ］表...该专利属于信越化学工业株式会社;松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越化学工业株式会社;松下电器产业株式会社授权不得商用。