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一种限制设于半导体基片（５６）上的结构的临界尺寸增大的方法，包括设置带有由活性金属或氧化的活性金属构成的硬掩模（５２）的基片。该方法还包括使用相对于工艺的腐蚀化学剂具有低溅射率和低反应率的硬掩模。...
该专利属于泰格尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰格尔公司授权不得商用。

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