高频模块及其制造方法技术

技术编号:3218201 阅读:153 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的目的在于提供一种小型化的高频模块,为达到该目的,本发明专利技术的构成是在凹部(22)内容纳集成电路(24)和与之电气连接的片状电容器(23a)、(23b),同时,使晶体振子(27)与基板(21)大小大致相等。由此,可实现小型化的高频模块。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于便携式电话的。如图12所示,为了使该温度补偿振荡器小型化,在基板7上设置凹部10,在该凹部10的底面丝焊连接集成电路4,在凹部10侧的顶面上覆盖晶体振子6,同时,在该顶面侧12上用膏状软钎料11回熔焊接纵长1.0mm、横长0.5mm的片状电容器5。这样,把晶体振子6重叠在集成电路4上,从而谋求小型化。如图13所示,该制造方法具有下述工序设置凹部10并在凹部10的底面上丝焊连接集成电路4的第1工序13,在该第1工序后用粘结材料密封集成电路4的第2工序14,在该第2工序14后固化粘结材料的第3工序15,在该第3工序15后在凹部10的顶面侧12印刷膏状软钎料的第4工序16,在该第4工序16后在涂敷的膏状软钎料11上安装片状电容器5和晶体振子6的第5工序17,在该第5工序17后加热从而把片状电容器5和晶体振子6粘结在基板7顶面侧12上的第6工序18。这样,在集成电路4的上方安装晶体振子6,由此高频模块更加小型化。但是,对于近年来进一步小型化的要求,用这种已有技术的构成,无论如何,使晶体振子6与片状电容器5的组合尺寸更小型化是有限度的。另一方面,由于近来半导体技术的进步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频模块,其特征在于,它包括:绝缘体构成的基板,设置在该基板上的凹部,倒装式安装在所述凹部底面上的集成电路,与所述集成电路电气连接且覆盖在所述基板凹部的顶面侧的滤波器;在所述凹部内容纳与所述集成电路电气连接的片状电容器,同时,使所述滤波器与基板大小大致相等。

【技术特征摘要】
JP 1999-2-24 46233/991.一种高频模块,其特征在于,它包括绝缘体构成的基板,设置在该基板上的凹部,倒装式安装在所述凹部底面上的集成电路,与所述集成电路电气连接且覆盖在所述基板凹部的顶面侧的滤波器;在所述凹部内容纳与所述集成电路电气连接的片状电容器,同时,使所述滤波器与基板大小大致相等。2.如权利要求1所述的高频模块,其特征在于,所述片状电容器用膏状软钎料粘合在滤波器上。3.如权利要求1所述的高频模块,其特征在于,滤波器为晶体振子,同时,在集成电路中容纳振荡电路、与所述振荡电路连接的输出端子、温度补偿电路、频率控制电路、通过与设置在所述集成电路外部的片状电容器连接形成的稳定电源电路,从而构成温度补偿振荡器。4.如权利要求1所述的高频模块,其特征在于,所述高频模块构成接收器,它包含输入高频信号的第1输入端子,经第1片状电容器提供输入所述第1输入端子的信号的放大电路,向其提供所述放大电路的输出的SAW滤波器,所述SAW滤波器的输出提供至其一个输入端的混频电路,经第2片状电容器向其提供所述混频电路的输出的输出端子,经第3片状电容器向所述混频电路另一端输入本振频率的第2输入端子。5.如权利要求1所述的高频模块,其特征在于,所述高频模块构成发射器,它包含输入高频信号的输入端子,经第1片状电容器向其提供输入至所述输入端子的信号的SAW滤波器,向其提供所述SAW滤波器的输出的放大电路,经第2片状电容器向其提供所述放大电路的输出的输出端子。6.一种高频模块,其特征在于,它包括绝缘体构成的基板,设置在所述基板上的凹部,倒装式安装在所述凹部底面上的PLL集成电路,与所述PLL集成电路电气连接且覆盖在所述基板凹部的顶面侧的压控振荡器;在所述凹部内容纳与所述PLL集成电路电气连接且以片状部件形式形成的低通滤波器,同时,...

【专利技术属性】
技术研发人员:木村润一满園良次赤塚辉元
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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