利用激光加工被加工物的方法技术

本发明专利技术涉及一种利用激光加工形成高长度直径比的加工孔的加工被加工物的方法。在硅基板（１）的表面和背面分别形成氧化硅膜（２）作为保护膜，经该保护膜（２）向硅基板（１）照射激光进行开孔加工。或者，向硅基板（１）照射圆偏振或随机偏振的激光。由此获得高长度直径比的加工孔，而且，加工孔形状也成为真正笔直的孔，提高了加工精度。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种对硅基板等基体材料利用激光加工加工被加工物的方法，特别是有关加工通孔等的孔或加工沟。
技术介绍
以往，一直进行对硅基板等的基体材料照射激光施行开孔等的加工。例如，一直进行向半导体晶片照射激光形成通孔的加工。可是，在照射激光施行加工形成通孔时，加工孔的内壁表面上因激光加工时发生的热而引起渣滓残留或附着熔解物，因此加工孔的质量不佳。另外，发生加工飞散物(称之为渣滓或碎屑)就附着于基体材料的周边，存在可靠性降低这样的问题。此外，当仅仅用激光扩大孔宽时，需要增加激光功率或延长加工时间。另外，在利用激光形成通孔时，存在着其通孔弯曲变形，加工精度变坏之类的问题。进而，如果只用蚀刻形成通孔，则因硅的晶体方向性也存在不能形成高长度直径比的孔的问题。专利技术的公开本专利技术的目的在于提供一种能够使用激光加工，形成高长度直径比的加工孔的加工被加工物的方法。本专利技术的另一个目的在于提供一种能够除去利用激光加工而在加工孔内部残留的热变形和熔融物的被加工物的加工方法。本专利技术的又一个目的在于提供一种很容易扩大使用激光加工所得加工孔的加工被加工物的方法。本专利技术的再一个目的在于提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加工被加工物的方法，其特征在于：照射激光形成引导孔，进行各向异性蚀刻扩大所述引导孔。

【技术特征摘要】
JP 1999-2-25 47433/99;JP 1999-2-25 47434/991．一种加工被加工物的方法，其特征在于照射激光形成引导孔，进行各向异性蚀刻扩大所述引导孔。2．根据权利要求1中所述的加工被加工物的方法，其特征在于在所述基体材料上形成保护膜，经所述保护膜向所述基体材料照射激光。3．根据权利要求2中所述的加工被加工物的方法，其特征在于在所述保护膜上形成开口部，向上述开口部露出了的所述基体材料部分照射激光。4．根据权利要求2或3中所述的加工被加工物的方法，其特征在于向所述基体材料照射圆偏振的激光。5．根据权利要求2或3中所述的加工被加工物的方法，其特征在于向所述基体材料照射随机偏振的激光。6．根据权利要求1到5的任一项中所述的加工被加工物的方法，其特征在于使述激光进行扫描，形成连续的引导孔。7．根据权利要求1到6的任一项中所述的加工被加工物的方法，其特征在于利用所述各向异性蚀刻扩大所述引导孔来形成通孔。8．根据权利要求1到7的任一项中所述的加工被加工物的方法，其特征在于所述基体材料是硅基板。9．根据权利要求8中所述的加工被加工物的方法，其特征在于所述硅基板的表面是(110)面。10．根据权利要求8中所述的加工被加工物的方法，其特征在于所述硅基板的表面是(100)面。11．根据权利要求10中所述的加工被加工物的方法，其特征在于向所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅津一成，尼子淳，四谷真一，荒川克治，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]