曝光掩模的图案修正方法和半导体器件的制造方法技术

一种曝光掩模的图案修正方法，包括：准备包含使用曝光掩模在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组；在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块；以及使用所述修正规则或所述修正模块，在所述曝光掩模中实施邻近效应修正。还涉及使用上述修正方法的半导体器件的制造方法。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种曝光掩模的图案修正方法、图案形成方法和程序，具体而言，涉及一种减小邻近效应影响的曝光掩模的图案修正方法、图案形成方法和计算机可读取的记录媒体。
技术介绍
近年来，对半导体器件的电路图案尺寸细微化的要求加速。同时，即使按设计图案制作曝光掩模，在晶片上也会产生所谓不能按设计图案形成图案的现象。该现象被称为晶片上的OPE(光学邻近效应)。所述OPE大致起因于掩模工序、平版印刷工序、蚀刻工序。具体而言，若为所述平版印刷工序的情况，则起因于光刻胶的显影，若为所述蚀刻工序的情况，则起因于加载效应。虽然所述平版印刷工序是所述OPE的光学主要原因，但所述掩模工序、所述蚀刻工序不是所述OPE的光学的主要原因。作为修正所述OPE的技术，提出了各种OPC(光学邻近修正)技术。附图说明图16表示进行所述OPC的修正规则(在规则库OPC的情况下，下面称为OPC规则。)或修正模块(在规则库OPC的情况下，下面称为OPC模块。)的制作顺序和所述OPC规则或所述OPC模块(OPC规则/模块)对制品的反馈。如图16所示，当制作OPC规则/模块时，使用设计数据和与所述制品相同的蚀刻工序来制作被称为OPC TEG掩模的评价掩模。接着，使用所述评价掩模和与所述制品相同的平版印刷工序，在晶片上形成抗蚀剂图案。之后，使用所述抗蚀剂图案和与所述制品相同的蚀刻工序来加工所述晶片，制作评价晶片。然后，对所述评价晶片进行OPE评价，制作使形成于所述评价晶片上的图案和所述设计数据的图案一致的规则/模块，即OPC规则/模块。所述OPC规则/模块适用于制品的主体掩模的制作。图17表示现有的得到OPC模块的方法。在所述方法中，选择复高斯函数G的系数Ci、ΔLi，使实验所得的晶片尺寸(CDexp)和计算所得的晶片尺寸(CDsim)一致(CDexp＝CDsim)。实施OPC的制品单元工序组(掩模工序、平版印刷工序、蚀刻印刷工序等)与为了获得OPC规则/模块而制作的评价掩模的单元工序组必须相同。理由如下当这些单元工序组不同时，所述评价晶片的OPE与所述制品的OPE不同，有可能制作的OPC规则/模块变得无效。构成所述制品的所述单元工序组的多个单元工序(掩模工序、平版印刷工序、蚀刻印刷工序)与开发的流程同时进步。因此，在暂时确定OPC规则/模块后，在所述制品的所述多个单元工序的任一个工序中都会产生变更。此时，在现有技术中，使用与包含产生变更的单元工序的制品相同的单元工序组来制作新的评价晶片，从所述评价晶片的OPE评价结果来制作新的OPC规则/模块。但是，因为在OPC规则/模块的制作中花费时间，在实施反映所述新的OPC规则/模块的制品的图案形成方法之前，存在花费时间的问题。专利技术概述根据本专利技术的一个方面的曝光掩模的图案修正方法包括准备包含使用曝光掩模而在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组，所述多个单元工序包括关于所述曝光掩模制造的单元工序，关于使用所述曝光掩模的平版印刷的单元工序和关于所述衬底的蚀刻的单元工序；在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块，所述第一邻近效应数据是关于起因于产生所述变更前的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据，所述第二邻近效应数据是关于起因于产生所述变更后的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据；使用所述修正规则或所述修正模块，在所述曝光掩模中实施邻近效应修正。根据本专利技术的一个方面的半导体器件的制造方法包括准备包含使用曝光掩模而在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组，所述多个单元工序包括关于所述曝光掩模制造的单元工序，关于使用所述曝光掩模的平版印刷的单元工序和关于所述衬底的蚀刻的单元工序；在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块，所述第一邻近效应数据是关于起因于产生所述变更前的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据，所述第二邻近效应数据是关于起因于产生所述变更后的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据；使用所述修正规则或所述修正模块，在所述曝光掩模中实施邻近效应修正；使用实施了所述邻近效应修正的所述曝光掩模，在所述衬底上形成所述图案。根据本专利技术的一个方面的计算机程序产品包括计算机可读媒体；所述媒体上记录有将包含使用曝光掩模而在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组读入计算机的第一程序指令，所述多个单元工序包括关于所述曝光掩模制造的单元工序、关于使用所述曝光掩模的平版印刷的单元工序和关于所述衬底的蚀刻的单元工序；所述媒体上记录有在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块的第二程序指令，所述第一邻近效应数据是关于起因于产生所述变更前的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据，所述第二邻近效应数据是关于起因于产生所述变更后的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据。附图的简要描述图1是表示根据本专利技术第一实施例的单元工序组的一部分变更的情况下的图案形成方法的流程图；图2是表示根据第一实施例的新的OPC规则/模块的取得方法的流程图；图3A-3C是说明改写一维OPC的图；图4A-4D是说明改写二维OPC的图；图5A和5B是说明根据新旧掩模工序中的掩模数据和旧掩模工序中的晶片数据，而取得新的掩模工序的晶片数据的方法的图； 图6是说明MEF定义的图；图7是表示根据本专利技术第二实施例的单元工序组的一部分变更的情况下的图案形成方法的流程图；图8是表示根据第二实施例的新的OPC规则/模块的取得方法的流程图；图9是表示根据本专利技术第三实施例的单元工序组的一部分变更的情况下的图案形成方法的流程图；图10是表示根据第三实施例的新的OPC规则/模块的取得方法的流程图；图11是表示根据本专利技术第四实施例的曝光掩模的图案修正方法的流程图；图12是表示根据本专利技术第五实施例的曝光掩模的图案修正方法的流程图；图13A和13B是说明不考虑覆盖率图案的OPC的图；图14A和14B是说明考虑覆盖率图案的OPC的图；图15A到15D是说明根据本专利技术第六实施例的考虑了图案覆盖率的曝光掩模图案修正方法的图；图16是表示现有的单元工序组的一部分中存在变更的情况下的图案形成方法的流程图；图17表示现有的OPC模块化方法的图；图18是说明本专利技术其它实施例的图。实施专利技术的具体方式下面参照附图来说明本专利技术的实施例。(第一实施例)图1是表示根据本专利技术第一实施例的单元工序组的一部分变更的情况下的图案形成方法的流程图。这里，说明构成单元工序组的多个单元工序中关于曝光掩模制造的工序(掩模工序)中存在变更的情况。这里所称的掩模工序的变更是曝光掩模制作时的描绘工序、平版印刷工序、曝光掩模(玻璃衬底上的遮光膜)的蚀刻工序等工序，还包含变更构成这些各工序的子工序的情况。另外，作为对象的图案是在例如Si衬底(Si晶片)上形成的电路图案。在单元工序(这里为掩模工序)中产生变更的情况下，因为曝光掩模的图案修正方法，所以有必要重新更改OPC规则/模块。本实施例的特征在于该新的OPC规则/模块的制作方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光掩模的图案修正方法，包括：准备包含使用曝光掩模在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组，所述多个单元工序包括关于所述曝光掩模制造的单元工序、关于使用所述曝光掩模的平版印刷的单元工序和关于所述衬底的蚀刻的单元工序；在所述多个 单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块，所述第一邻近效应数据是关于起因于产生所述变更前的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据，所述第二邻近效应数据是关于起因于产生所述变更后的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据；以及使用所述修正规则或所述修正模块，在所述曝光掩模中实施邻近效应修正。

【技术特征摘要】
JP 2001-4-23 124683/20011.一种曝光掩模的图案修正方法，包括准备包含使用曝光掩模在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组，所述多个单元工序包括关于所述曝光掩模制造的单元工序、关于使用所述曝光掩模的平版印刷的单元工序和关于所述衬底的蚀刻的单元工序；在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块，所述第一邻近效应数据是关于起因于产生所述变更前的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据，所述第二邻近效应数据是关于起因于产生所述变更后的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据；以及使用所述修正规则或所述修正模块，在所述曝光掩模中实施邻近效应修正。2.根据权利要求1所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，所述第一和第二邻近效应数据包含实验数据或模拟数据。3.根据权利要求1所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，所述第二邻近效应数据包含使用相关系数取得的数据，所述相关系数是在产生所述变更后的所述至少一个单元工序和产生所述变更后的所述至少一个单元工序后执行的单元工序之间的系数。4.根据权利要求2所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，所述第二邻近效应数据包含使用相关系数取得的数据，所述相关系数是在产生所述变更后的所述至少一个单元工序和产生所述变更后的所述至少一个单元工序后执行的单元工序之间的系数。5.根据权利要求1所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，在所述多个单元工序中的两个以上的单元工序中产生变更的情况下，对平均一个所述曝光掩模实施修正起因于所述两个以上单元程序的邻近效应的两个以上的邻近效应修正。6.根据权利要求2所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，在所述多个单元工序中的两个以上的单元工序中产生变更的情况下，对平均一个所述曝光掩模实施修正起因于所述两个以上单元程序的邻近效应的两个以上的邻近效应修正。7.根据权利要求3所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，在所述多个单元工序中的两个以上的单元工序中产生变更的情况下，对平均一个所述曝光掩模实施修正起因于所述两个以上单元程序的邻近效应的两个以上的邻近效应修正。8.根据权利要求1所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，在关于所述曝光掩模的制造的所述单元工序、关于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述单元工序和关于所述衬底的蚀刻的所述单元工序中产生变更的情况下，对所述曝光掩模实施修正起因于关于所述衬底蚀刻的所述单元工序的邻近效应的邻近效应修正，对所述曝光掩模实施修正起因于将关于所述曝光掩模制造的所述单元工序和关于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述单元工序统一成一个的工序的邻近效应的邻近效应修正。9.根据权利要求2所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，在关于所述曝光掩模的制造的所述单元工序、关于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述单元工序和关于所述衬底的蚀刻的所述单元工序中产生变更的情况下，对所述曝光掩模实施修正起因于关于所述衬底蚀刻的所述单元工序的邻近效应的邻近效应修正，对所述曝光掩模实施修正起因于将关于所述曝光掩模制造的所述单元序和关于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述单元工序统一成一个的工序的邻近效应的邻近效应修正。10.根据权利要求3所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，在关于所述曝光掩模的制造的所述单元工序、关于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述单元工序和关于所述衬底的蚀刻的所述单元工序中产生变更的情况下，对所述曝光掩模实施修正起因于关于所述衬底蚀刻的所述单元工序的邻近效应的邻近效应修正，对所述曝光掩模实施修正起因于将...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本耕治，井上壮一，田中聪，臼井聪，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]