半导体装置制造方法及图纸

一种能应用于多种使用方案的半导体装置。半导体装置具备：半导体封装，半导体封装具有具备第一电极、第二电极和第一控制电极的n型沟道常断晶体管、具有电连接于第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极的常通晶体管、具有电连接于第二控制电极的第一阳极和电连接于第三电极的第一阴极的第一二极管及具有电连接于第一电极的第二阳极和电连接于第二电极的第二阴极的齐纳二极管；第一端子，设于半导体封装，电连接于第一电极；多个第二端子，电连接于第一电极，排列于第一方向上；第三端子，电连接于第四电极；多个第四端子，电连接于第一控制电极，排列于第一方向上；以及多个第五端子，电连接于第二控制电极，排列于第一方向上。

【技术实现步骤摘要】

本申请享有以日本专利申请2020-153000号(申请日：2020年9月11日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。本专利技术的实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

1、iii族氮化物作为下一代的功率半导体器件用的材料，例如，gan(氮化镓)系半导体备受期待。gan系半导体与si(硅)相比，具备较大的带隙。因此，gan系半导体器件与si(硅)半导体器件相比，能够实现小型且高耐压的功率半导体器件。此外，由此能够减小寄生电容，因此能够实现高速驱动的功率半导体器件。

2、在gan系的晶体管中，通常应用将二维电子气(2deg)作为载流子的hemt(highelectron mobility transistor：高电子迁移率晶体管)结构。通常的hemt是即使不向栅极施加电压也会导通的常通晶体管。在gan系的晶体管中，存在难以实现只要不向栅极施加电压就不导通的常断晶体管这样的问题。

3、在处理数百v～一千v这样的高压电力的电源电路等中，重视安全方面而要求常断这一动作。因此，提出了通过进行将常通的gan系晶体管与本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，

14.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉山亨，吉冈启，洪洪，矶部康裕，小林仁，大野哲也，细川直范，小野村正明，岩井正明，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：