半导体模块制造技术

技术编号:3208592 阅读:104 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种半导体模块,它包含:    模块板,其上表面上具有支持体,且其下表面上具有外部电极端子;    第一半导体芯片,它以形成在主表面上的电极被形成于半导体芯片上侧上的状态被固定到模块板;    第二半导体芯片,其一部分平面重叠到第一半导体芯片上方,使第二半导体芯片不与第一半导体芯片形成接触,第二半导体芯片被支持体支持且固定到支持体;以及    导电金属丝,它对第一半导体芯片和模块板进行电连接。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到半导体模块,更确切地说是涉及到能够以垂直层叠的方式安排多个半导体芯片,同时防止它们彼此形成接触,且同时能够增强上部半导体芯片的接地的半导体模块。
技术介绍
作为将其中组合有诸如晶体管之类的有源元件的半导体芯片以及其中组合有诸如电阻器、电容器之类的无源元件的芯片部件分别安装在印刷电路板上的半导体模块(半导体器件)的例子,已知有混合模块(例如见专利文献1)。而且,已知有一种将多个半导体芯片组合在封装件中的产品(例如见专利文献2)。日本未经审查的专利公开2000-58741(p.5和6,图1)[专利文献2]日本未经审查的专利公开2001-110986(p.7左列)大量电子部件被组合到移动通信的终端设备(移动电话等)中。组合到移动电话的传输系统中的高频放大器件(功率放大器模块PA)的急剧小型化和功能复杂化已经在进行中。作为一种通信方法,已知GSM(全球移动通信系统)方法。虽然这种GSM方法的功率放大器模块目前的外形尺寸被设定为纵向10mm和横向8mm,但作为下一代模块的主流,外形尺寸有望会被设定为纵向6mm和横向5mm。而且,同样在CDMA(码分多址)领域中,虽然功率放大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体模块,它包含模块板,其上表面上具有支持体,且其下表面上具有外部电极端子;第一半导体芯片,它以形成在主表面上的电极被形成于半导体芯片上侧上的状态被固定到模块板;第二半导体芯片,其一部分平面重叠到第一半导体芯片上方,使第二半导体芯片不与第一半导体芯片形成接触,第二半导体芯片被支持体支持且固定到支持体;以及导电金属丝,它对第一半导体芯片和模块板进行电连接。2.根据权利要求1的半导体模块,其中,部分支持体由导体制成。3.根据权利要求2的半导体模块,其中,由导体形成并贯穿在模块板上下表面之间的通道被形成在模块板中,且由导体形成的支持体被连接到通道。4.根据权利要求1的半导体模块,其中,支持体处于参考电位。5.根据权利要求2的半导体模块,其中,第一半导体芯片和第二半导体芯片通过支持体彼此电连接。6.根据权利要求1的半导体模块,其中,支持体由与模块板一起同时形成的突起组成。7.根据权利要求6的半导体模块,其中,由导体形成并贯穿在模块板上下表面之间的通道被形成在支持体内部。8.根据权利要求1的半导体模块,其中,支持体构成相对于模块板分离的部分,并被固定到模块板。9.根据权利要求8的半导体模块,其中,支持体由球组成。10.根据权利要求9的半导体模块,其中,支持体由导体形成并与由导体组成的贯穿在模块板上下表面之间的通道电连接。11.根据权利要求1的半导体模块,其中,由导体形成并贯穿在模块板上下表面之间的通道被形成在模块板中,由导电层组成的散热焊点被形成在模块板的下表面上,且通道被连接到散热焊点。12.根据权利要求1的半导体模块,其中,第二半导体芯片的一边长于第一半导体芯片的一边。13.根据权利要求1的半导体模块,其中,第一半导体芯片的热值大于第二半导体芯片的热值。14.根据权利要求1的半导体模块,其中,由导体形成并贯穿在模块板上下表面之间的通道被形成在模块板中,且第一半导体芯片被连接到通道。15.根据权利要求1的半导体模块,其中,第一半导体芯片和第二半导体芯片被连接到公共参考电位电极。16.根据权利要求1的半导体模块,其中,凹陷被形成在模块板的上表面中,且第一半导体芯片被固定到凹陷的底部。17.根据权利要求16的半导体模块,其中,由导体形成并贯穿在模块板上下表面之间的通道被形成在凹陷的底部中,由导电层组成的散热焊点被形成在模块板的下表面上方,且通道被连接到散热焊点。18.根据权利要求1的半导体模块,其中,参考电位电极被形成在第二半导体芯片的下表面上。19.根据权利要求1的半导体模块,其中,参考电位电极...

【专利技术属性】
技术研发人员:小西聪远藤恒雄土屋正明中嶋浩一
申请(专利权)人:株式会社瑞萨科技
类型:发明
国别省市:

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