【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种使用带电粒子束的光刻技术，特别是涉及测定带电粒子束绘图装置的掩模台架座标系相对试样台架座标系的相位的带电粒子束绘图装置的台架相位测定方法、测定掩模在试样面上的缩小率的带电粒子束绘图装置的缩小率测定方法、及相应于测定的相位和缩小率进行控制的带电粒子束绘图装置的控制方法、及带电粒子束绘图装置。
技术介绍
随着半导体装置的微细化，在图案的绘图中考虑了带电粒子束绘图装置。为了将掩模图案缩小和转印到试样上，使用缩小透镜和物镜。由这些透镜缩小掩模图案，并由磁场使图案旋转，所以，转印于试样面上的图案的相位与缩小率的偏向同时变化。装置的设计考虑旋转和缩小双方进行，按目的缩小率进行目的旋转地设计。然而，实际上由于装置的设计误差和制造误差使得不能获得同时存在目的的缩小率和目的的旋转的条件。测定缩小率和图案的旋转角度的技术例如公开于专利文献1。关于图案的旋转偏移，可由载置掩模的旋转台架修正，但没有修正掩模台架X的移动方向和掩模台架Y的移动方向的手段，所以，掩模台架座标系相对试样台架座标系的系相位保持偏移。掩模台架座标系由于组装误差、设计误差、透镜系调整误差的原因而...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带电粒子束绘图装置的缩小率测定方法，其特征在于包括，在载置于带电粒子束绘图装置的掩模台架上的掩模的开口部分位于第1开口位置的状态下，并在掩模台架座标系下测定上述掩模台架的第1台架位置的步骤；在试样台架座标系下测定由位于上述第1开口位置的开口部分成形的、通过物镜系照射到试样面上的带电粒子束的第1照射位置的步骤；使上述开口部分的位置移动到与上述第1开口位置不同的上述第2开口位置、在掩模台架座标系下测定上述掩模台架的第2台架位置的步骤；在上述试样台架座标系下测定由位于上述第2开口位置的上述开口部分成形的、通过上述物镜系照射到上述试样面上的带电粒子束的第2照射位置的步骤；及根据上述第1和第2台架位置及第1和第2照射位置计算上述物镜系的缩小率的步骤。2.一种带电粒子束绘图装置的控制方法，其特征在于相应于使用权利要求1所述的带电粒子束绘图装置的缩小率调整方法测定的缩小率，对上述物镜系的缩小率进行调整。3.一种带电粒子束绘图装置的台架相位测定方法，其特征在于包括，测定由载置于带电粒子束绘图装置的掩模台架的掩模而成形的、通过物镜光学系照射到试样面上的带电粒子束的图案的旋转角度的步骤；相应于上述测定的旋转角度使上述掩模旋转从而对上述图案的旋转进行修正的步骤；进行上述修正后在上述掩模的开口部分位于第1开口位置的状态下，在掩模台架座标系下测定上述掩模台架的第1台架位置的步骤；在试样台架座标系下测定由位于上述第1开口位置的开口部分成形的、通过上述物镜系照射到试样面上的带电粒子束的第1照射位置的步骤；使上述开口部分的位置移动到与上述第1开口位置不同的上述第2开口位置、在掩模台架座标系下测定上述掩模台架的第2台架位置的步骤；在试样台架座标系下测定由位于上述第2开口位置的上述开口部分成形的、通过上述物镜系照射到上述试样面上的带电粒子束的第2照射位置的步骤；及根据上述第1和第2台架位置及上述第1和第2照射位置计算上述试样台架座标系与上述掩模台架座标系的相位差的步骤。4.一种带电粒子束绘图装置的控制方法，其特征在于通过基于使用权利要求3所述的带电粒子束绘图装置的台架相位测定方法测定的相位的修正，使上述掩模台架移动。5.一种带电粒子束绘图装置的控制方法，其特征在于包括，在载置于带电粒子束绘图装置的掩模台架的掩模的开口部分位于第1开口位置的状态下，并在掩模台架座标系下测定上述掩模台架的第1台架位置的步骤；在试样台架座标系下测定由位于上述第1开口位置的开口部分成形的、通过物镜系照射到试样面上的带电粒子束的第1照射位置的步骤；在试样台架座标系下测定由位于上述第1开口位置的开口部分成形的、通过物镜系照射到试样面上的带电粒子束的第1照射位置的步骤；使上述开口部分的位置移动到与上述第1开口位置不同的上述第2开口位置、在掩模台架座标系下测定上述掩模台架的第2台架位置的步骤；在试样台架座标系下测定由位于上述第2开口位置的上述开口部分成形的、通过上述物镜系照射到上述试样面上的带电粒子束的第2照射位置的步骤；根据第1和第2台架位置及第1和第2照射位置求出上述物镜系的缩小率的步骤；相应于求出的缩小率对上述物镜系的缩小率进行调整的步骤；在上述缩小率的调整后测定由上述掩模成形的、通过物镜光学系照射到试样面上的带电粒子束的图案的旋转角度的步骤；相应于上述测定的旋转角度使上述掩模旋转从而对上述图案的旋转进行修正的步骤；进行上述修正后在上述掩模的开口部分位于第3开口...
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