非易失性存储器及制造非易失性存储器的方法技术

一种制造非易失性存储器的方法，其特征在于包括步骤：　　　　在第一导电类型的半导体衬底上形成第一绝缘层；　　　　在所述第一绝缘膜上形成第一导电膜；　　　　在所述第一导电膜上形成刻蚀阻挡膜；　　　　在所述刻蚀阻挡膜上形成隔离膜；　　　　通过刻蚀至所述刻蚀阻挡膜，有选择地除去所述隔离膜，从而形成开口；　　　　在所述开口内除去所述刻蚀阻挡膜；　　　　在所述开口内的所述第一导电膜中形成盆形凹穴；　　　　在所述开口的侧面形成侧壁绝缘膜；　　　　除去所述开口内的所述第一导电膜和所述第一绝缘膜；　　　　在所述开口内的所述半导体衬底表面掺入第二导电类型杂质，从而形成源极和漏极之一；　　　　形成第二绝缘膜，以覆盖所述开口内所述第一导电膜的暴露表面；　　　　通过以导电膜填充所述开口，形成插塞；　　　　除去所述隔离膜；　　　　通过以所述侧壁绝缘膜为掩模，有选择地蚀去所述第一导电膜，在直接处于所述侧壁绝缘膜下面的区域形成所述第一导电膜的浮动栅；　　　　形成第三绝缘膜，以覆盖所述浮动栅的暴露表面；　　　　通过在所述侧壁绝缘膜上形成导电膜，在所述插塞的侧面形成控制栅；和　　　　以所述插塞、所述侧壁绝缘膜、所述浮动栅和所述控制栅为掩模，在所述半导体衬底表面有选择地掺入第二导电类型杂质，形成源极和漏极中的另一个。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及三态自对准非易失性存储器和制造非易失性存储器的方法，特别是涉及具有稳定的浮动栅形状的非易失性存储器制造方法。
技术介绍
快速存储器已发展成为非易失性存储器的一种类型。快速存储器的结构中布置有大量的单元，每一单元具有标准MOS晶体管源漏栅(控制栅)，还具有浮动栅，其嵌在绝缘膜中并在电气上处于悬浮状态。当源极和衬底接地，并有电压加至控制栅和漏极时，电子从源极向漏极迁移，其中的一些电子横穿绝缘膜进入浮动栅，所以浮动栅被负充电，由此写入操作。还有，横越绝缘膜向控制栅牵引电子，使浮动栅在电气上呈现中性，由此进行擦除操作。就快速快速存储器而言，总体集成度能够提高，因为每个单元能做得比较小。因此，已提出制造高精度的精细单元的方法(例如，文件“2000Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers”PP120-121，和USP 6,429,075)。图1A至1D，2A至2D，3A至3D和图4是按步骤顺序，说明上述文件中描述的快速快速存储器的常规制造方法的剖面图。首先，如图1A中所示，通过CVD(化学汽相淀积)，在P型硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造非易失性存储器的方法，其特征在于包括步骤在第一导电类型的半导体衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘膜上形成第一导电膜；在所述第一导电膜上形成刻蚀阻挡膜；在所述刻蚀阻挡膜上形成隔离膜；通过刻蚀至所述刻蚀阻挡膜，有选择地除去所述隔离膜，从而形成开口；在所述开口内除去所述刻蚀阻挡膜；在所述开口内的所述第一导电膜中形成盆形凹穴；在所述开口的侧面形成侧壁绝缘膜；除去所述开口内的所述第一导电膜和所述第一绝缘膜；在所述开口内的所述半导体衬底表面掺入第二导电类型杂质，从而形成源极和漏极之一；形成第二绝缘膜，以覆盖所述开口内所述第一导电膜的暴露表面；通过以导电膜填充所述开口，形成插塞；除去所述隔离膜；通过以所述侧壁绝缘膜为掩模，有选择地蚀去所述第一导电膜，在直接处于所述侧壁绝缘膜下面的区域形成所述第一导电膜的浮动栅；形成第三绝缘膜，以覆盖所述浮动栅的暴露表面；通过在所述侧壁绝缘膜上形成导电膜，在所述插塞的侧面形成控制栅；和以所述插塞、所述侧壁绝缘膜、所述浮动栅和所述控制栅为掩模，在所述半导体衬底表面有选择地掺入第二导电类型杂质，形成源极和漏极中的另一个。2.根据权利要求1所述的制造非易失性存储器的方法，其特征在于所述形成所述刻蚀阻挡膜包括形成含有氧化硅的薄膜的步骤。3.根据权利要求2所述的制造非易失性存储器的方法，其特征在于所述形成所述刻蚀阻挡膜包括在所述含有氧化硅的薄膜上形成第二导电膜的步骤；和所述从所述开口除去所述刻蚀阻挡膜包括步骤刻蚀和除去所述开口内的所述第二导电膜，和刻蚀和除去所述开口内的所述含有氧化硅的薄膜。4.根据权利要求2或3所述的制造非易失性存储器的方法，其特征在于所述形成所述含有氧化硅的薄膜，是在800℃或低于800℃的温度下，通过化学汽相淀积形成氧化硅膜的步骤。5.根据权利要求1至3之任一项所述的制造非易失性存储器的方法，其特征在于所述在所述第一半导体薄膜上形成所述盆形凹穴，是通过干刻蚀部分地除去所述第一半导体层的步骤。6.根据权利要求1至3之任一项所述的制造非易失性存储器的方法，其特征在于所述在所述第一半导体薄膜上形成所述盆形凹穴，包括步骤在所述开口内部分地氧化所述第一半导体膜的表面，以形成氧化物膜，和除去氧化物膜，以便在所述第一半导体膜内形成盆形凹穴。7.根据权利要求6所述的制造非易失性存储器的方法，其特征在于所述在所述第一半导体膜内形成所述盆形凹穴，进一步包括在所述形成氧化物膜的步骤之前，在所述开口内的所述第一导电膜中掺入杂质的步骤。8.根据权利要求1至3之任一项所述的制造非易失性存储器的方法，其特征在于所述形成所述隔离膜，包括形成氮化硅膜的步骤。9.根据权利要求1至3之任一项所述的制造非易失性存储器的方法，其特征在于所述形成所述隔离膜包括步骤形成硅膜，和在所述形成所述开口的步骤以后，形成覆盖所述开口内部的所述硅膜的暴露表面的保护膜。10.根据权利要求9所述的制造非易失性存储器的方法，其特征在于所述形成所述隔离膜包括在所述硅膜上形成氮化硅膜的步骤。11.根据权利要求9所述的制造非易失性存储器的方法，其特征在于进一步包括步骤使所述插塞中的杂质浓度高于所述硅膜中的杂质浓度；和在所述形成和除去所述隔离膜的步骤以前，氧化所述插塞。12.根据权利要求1至3之任一项所述的制造非易失性存储器的方法，其特征在于所述形成所述侧壁绝缘膜包括形成氧化硅膜的步骤。13.根据权利要求1至3之任一项所述的制造非易失性存储器的方法，其特征在于所述形成所述侧壁绝缘膜包括形成氮化硅膜的步骤。14.根据权利要求1至3之任一项所述的制造非易失性存储器的方法，其特征在于所述形成所述侧壁绝缘膜包括步骤形成氧化硅膜，在所述氧化硅膜上形成氮化硅膜，和深刻蚀而有选择地除去所述氧化硅膜和所述氮化硅膜，同时沿所述开口的内表面保留由所述氧化硅膜和所述氮化硅膜形成的双层膜；所述方法进一步包括步骤在形成所述浮动栅以后，除去一部分所述氧化硅膜，以使所述浮动栅的一部分从所述侧壁绝缘膜突出。15.根据权利要求1至3之任一项所述的制造非易失性存储器的方法，其特征在于所述形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉野明，秋山丰，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：