下载非易失性存储器及制造非易失性存储器的方法的技术资料

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一种制造非易失性存储器的方法,其特征在于包括步骤:    在第一导电类型的半导体衬底上形成第一绝缘层;    在所述第一绝缘膜上形成第一导电膜;    在所述第一导电膜上形成刻蚀阻挡膜;    在所述刻蚀阻挡膜上形成隔离膜;    通过刻蚀...
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