防充电的模板掩膜及其制造方法技术

一种模板掩膜，包括：　　　　其上带有开口的导电薄膜；　　　　在不包括开口的导电薄膜区域内形成的绝缘膜；　　　　在所述绝缘膜上形成的导电支座；　　　　穿过所述绝缘膜而形成的、使所述导电支座和所述导电薄膜电连接的导电元件。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及应用在半导体工艺中的模板掩膜(stencil mask)及其制造方法。
技术介绍
半导体器件制造工艺包括在衬底上制造多个沟道电导率类型不同的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的过程，或制造多个具有不同阈值电压的MOSFET的过程。在所述过程中，当在井内或沟道内或多晶硅层内注入杂质离子时，就用到带孔的模板掩膜。模板掩膜在半导体衬底上方有一特定的间隙。杂质离子穿过模板掩膜被注入到特定区域。模板掩膜用来向待加工的衬底辐射粒子或电磁波。所述粒子包括带电粒子，如电子或离子，以及中性粒子，如原子、分子或中子。电磁波包括光波和X射线。在如图10A-10D所示的方法中，半导体加工过程的模板掩膜通常是用硅-绝缘体(SOI)衬底100制造成的。下面将描述模板掩膜的制造方法。图10A示出了普通的SOI衬底100。SOI衬底100例如是通过在硅衬底101内注入氧离子，然后对得到的硅衬底101在高温下进行退火处理而形成的。在硅衬底101表面上方几十到几百纳米的深度上形成氧化硅膜102。在氧化硅膜102上形成硅薄膜103。然后，如图10B所示，在硅薄膜103的表面施加抗蚀剂(图中未示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种模板掩膜，包括其上带有开口的导电薄膜；在不包括开口的导电薄膜区域内形成的绝缘膜；在所述绝缘膜上形成的导电支座；穿过所述绝缘膜而形成的、使所述导电支座和所述导电薄膜电连接的导电元件。2.根据权利要求1的模板掩膜，其中所述导电元件的电导率高于所述导电薄膜和所述导电支座各自的电导率。3.根据权利要求1的模板掩膜，其中所述导电薄膜和所述导电支座是用硅制成的。4.根据权利要求1的模板掩膜，其中所述导电元件使用钨制成的。5.根据权利要求1的模板掩膜，还包括在所述导电元件表面形成的硅或硅化物。6.根据权利要求1的模板掩膜，其中所述导电元件是在所述导电支座内形成的。7.根据权利要求1的模板掩膜，其中所述导电元件是在所述导电薄膜内形成的。8.根据权利要求1的模板掩膜，其中所述导电元件是在所述导电薄膜表面和内部形成的。9.一种模板掩膜，包括导电薄膜，所述导电薄膜包括第一区域和除第一区域之外的第二区域，所述第一区域包含多个第一开口；绝缘膜，所述绝缘膜是在与所述导电薄膜的第一侧的第二区域相应的区域内形成的；导电支座，所述导电支座是经由所述绝缘膜，在与所述导电薄膜的第二区域相应的区域内形成的。第二开口，所述第二开口是穿过所述导电支座和所述绝缘膜形成的；导电元件，所述导电元件位于第二开口内，并且使所述导电薄膜和所述导电支座电连接。10.根据权利要求9的模板掩膜，其中所述导电元件的电导率高于所述导电薄膜和所述导电支座各自的电导率。11.根据权利要求9的模板掩膜，其中所述导电薄膜和导电支座是用硅制成的。12.根据权利要求9的模板掩膜，其中所述导电元件是用钨制成的。13.根据权利要求9的模板掩膜，还包括在导电元件表面形成的硅或硅化物。14.一种模板掩膜，包括导电薄膜，所述导电薄膜包括第一区域和第二区域，所述第一区域包含多个第一开口；在与所述导电薄膜的第二区域对应处形成的绝缘膜；在所述绝缘膜上形成的导电支座；在所述导电薄膜第二区域的导电薄膜和绝缘膜内形成的第二开口；导电元件，所述导电元件是在所述第二开口内形成的，并且使所述导电薄膜与所述导电支座电连接。15.根据权利要求14的模板掩膜，其中所述导电元件的电导率高于所述导电薄膜和所述导电支座各自的电导率。16.根据权利要求14的模板掩膜，其中所述导电薄膜和导电支座是用硅制成的。17.根据权利要求14的模板掩膜，其中所述导电元件是用钨制成的。18.根据权利要求14的模板掩膜，还包括在导电元件表面形成的硅或硅化物。19.一种模板掩膜，包括导电薄膜，所述导电薄膜包括第一区域和第二区域，所述第一区域包含多个第一开口；在与所述导电薄膜的第二区域的对应处形成的绝缘膜；在所述绝缘膜上形成的导电支座；在所述导电薄膜第二区域的导电薄膜和绝缘膜内形成的第二开口；导电元件，所述导电元件是在所述导电薄膜的表面和第二开口内形成的，并且使所述导电薄膜与所述导电支座电连接。20.根据权利要求19的模板掩膜，其中所述导电元件的电导率高于所述导电薄膜和所述导电支座各自的电导率。21.根据权利要求19的模板掩膜，其中所述导电薄膜和导电支座是用硅制成的。22.根据权利要求19的模板掩膜，其中所述导电元件是用钨制成的。23.根据权利要求19的模板掩膜，还包括在导电元件表面形成的硅或硅化物。24.一种掩膜成形衬底包括具有第一区域和第二区域的导电薄膜；在所述导电薄膜上形成的绝缘膜；在所述绝缘膜上形成的导电支座；在与所述导电薄膜第二区域对应的导电支座和绝缘膜区域内形成的开口；在所述开口内形成的导电元件，其使所述导电薄膜与所述导电支座电连接。25.根据权利要求24的掩膜成形衬底，其中所述导电元件的电导率高于所述导电薄膜和所述导...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴田武，须黑恭一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：