【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种快闪存储器的结构改进及其制作工艺，特别是一种。
技术介绍
半导体制作工艺的趋势不断朝向提升结构封装密度发展，因此元件的设计便不断朝向节省空间的观念演进。致力于缩小各元件的大小，使得集成度提升。为了将元件缩小，元件的尺寸已被缩小至次微米或纳米的范围。非挥发性存储器的制造亦随着趋势缩小元件尺寸，非挥发性存储器包含不同型式的元件，例如PROM(可编程只读存储器)、EPROM(可抹除可编程中读存储器)、FLASH(快闪存储器)、EEPROM(电可抹除可编程只读存储器)。快闪存储器包含一可以储存电荷的浮置栅极以及控制极。而可携式电脑与电信工业已成为半导体集成电路设计技术的主要驱动力。例如，快闪存储器可以应用在电脑中的基本输出系统(BIOS)，高密度非挥发性存储器的应用范围则包含可携式终端设备中的大容量存储装置。目前的低电压快闪存储器通常在3到5伏特的操作下对浮置栅极进行充电或放电动作，此外，应用于电子式可编程只读存储器(ROM)均利用到某些程度的Fowler-Nordheim隧穿效应，其中冷电子隧穿硅与二氧化硅界面的垫垒而进入氧化传导带，当一电压施于栅...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种形成垂直式快闪存储器的方法，其特征包括下列步骤利用蚀刻掩膜蚀刻底材形成一凹陷区域以利于制作漏极与源极区域；利用离子布植植入离子进入该凹陷区域的上述底材中特定深度以形成该漏极与源极区域；回填第一绝缘材料于该底材之上并完全覆盖该凹陷区域；去除部分该第一绝缘材料至该底材表面；继续蚀刻该上述第一绝缘材料以曝露出部分的凹陷区域以残留一部分该第一绝缘材料于该漏极与源极区域；形成氧化层在被曝露的该凹陷区域表面；形成散射状硅颗粒于该氧化层的垂直表面上作为浮置栅极；沉积一第二绝缘层于该散射状硅颗粒之上；形成控制极导电层于第二绝缘层垂直表面以作为控制极；形成第三绝缘层于该凹陷区域用以作为绝缘材料；以化学机械研磨法去除部分第四绝缘层至该底材表面；以及形成导电层图案于该底材之上作为漏极区域。2.如权利要求1所述的形成垂直式快闪存储器的方法，其特征在于，所述的去除上述的第一绝缘层包含采用回蚀刻法。3.如权利要求1所述的形成垂直式快闪存储器的方法，其特征在于，所述去除上述的第一绝缘层包含化学机械研磨法。4.如权利要求1所述的形成垂直式快闪存储器的方法，其特征在于，所述第一绝缘材料可以为氧化硅或是SOG所组成。5.如权利要求1所述的形成垂直式快闪存储器的方法，其特征在于，所述残留第一绝缘材料的厚度约为0.1微米。6.如权利要求1所述的形成垂直式快闪存储器的方法，其特征在于，所述氧化层是以热氧化制作工艺形成。7.如权利要求1所述的形成垂直式快闪存储器的方法，其特征在于，所述散射状硅颗粒的形成条件可以为在温度5...
【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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