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一种形成垂直式快闪存储器的方法，其特征包括下列步骤：　　　　利用蚀刻掩膜蚀刻底材形成一凹陷区域以利于制作漏极与源极区域；　　　　利用离子布植植入离子进入该凹陷区域的上述底材中特定深度以形成该漏极与源极区域；　　　　回填第一绝缘材料于该底材之...
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